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Détails sur le produit:
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| Numéro de pièce: | IQE031N08LM6CG | Tension drain-source (Vdss): | 80 V |
|---|---|---|---|
| Température de fonctionnement minimale :: | - 55 C | Température de fonctionnement maximale :: | + 175 C |
| Pd-Dissipation de puissance :: | 125W | Transconductance directe - Min :: | 55 s |
| Mettre en évidence: | MOSFET de puissance de tension drain-source 80 V,Transistor à courant de vidange continu 127A,Puce de circuit intégré à résistance drain-source de 3 |
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| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Polarité du transistor | Canal N |
| Nombre de canaux | 1 canal |
| Tension de claquage drain-source Vds | 80 V |
| Courant de drain continu Id | 127 A |
| Résistance drain-source Rds On | 3,15 mOhms |
| Tension grille-source Vgs | 20 V |
| Tension de seuil grille-source Vgs th | 2,3 V |
| Charge de grille Qg | 26 nC |
| Température minimale de fonctionnement | -55°C |
| Température maximale de fonctionnement | +175°C |
| Dissipation de puissance Pd | 125 W |
| Numéro de pièce | Boîtier |
|---|---|
| ISOUSB211DPR | 28-SSOP |
| TPS25859QRPQRQ1 | 25-VQFN |
| TPS25868QRPQRQ1 | 25-VQFN |
| TPS25846QCWRHBRQ1 | 32-VQFN |
| TPS25833QCWRHBRQ1 | 32-VQFN |
| TPS25852QRPQRQ1 | 25-VQFN |
| TPS25831QWRHBRQ1 | 32-VQFN |
| TPS25762CAQRQLRQ1 | 29-VQFN |
| TPS25730SRSMR | 32-VQFN |
| TUSB211ARWBR | 12-XFQFN |
| TUSB211AIRWBR | 12-X2QFN |
| TPS25730DREFR | 38-WQFN |
| TPD3S713AQRVCRQ1 | 20-WQFN |
| TUSB2E22RZAR | 20-VQFN |
| AM6421BSDGHAALVR | 441-FCBGA |
| AM6442BSEGHAALV | 441-FCBGA |
| AM6251ATCGHAALW | 425-FCCSP |
| DRA821U4TGBALMR | 433-FCBGA |
| DRA821U2CGBALMR | 433-FCBGA |
| AM6254ATGFHIAMCRQ1 | 441-FCBGA |
| LMK1D1216RGZR | 48-VQFN |
| LMK1C1108PWR | 16-TSSOP |
| 2EDN7534R | TSSOP-8 |
| 2EDF7275K | TFLGA-13 |
| 2EDN8534R | TSSOP-8 |
| 2ED2101S06F | DSO-8 |
| TDA21590 | QFN-39 |
| 2EDN7533R | TSSOP-8 |
| 1ED3461MC12M | DSO-16 |
| 2EDN7434R | TSSOP-8 |
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