EPC2051 Puce de circuit intégré eGaN FET Transistors à tension de fuite de source de 100 V, courant de fuite continu de 1,7 A et résistance de fuite de source de 25 mOhms

Name: EPC2051 Puce de circuit intégré eGaN FET Transistors à tension de fuite de source de 100 V, courant de fuite continu de 1,7 A et résistance de fuite de source de 25 mOhms
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: EPC2051
Availability: InStock

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EPC2051 Puce de circuit intégré eGaN FET Transistors à tension de fuite de source de 100 V, courant de fuite continu de 1,7 A et résistance de fuite de source de 25 mOhms

Image Grand : EPC2051 Puce de circuit intégré eGaN FET Transistors à tension de fuite de source de 100 V, courant de fuite continu de 1,7 A et résistance de fuite de source de 25 mOhms

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	CN
Nom de marque:	Original Factory
Certification:	Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle:	EPC2051

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	10
Prix:	Contact for Sample
Détails d'emballage:	MOURIR
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T, L/C, Western Union

Contact

EPC2051 Puce de circuit intégré eGaN FET Transistors à tension de fuite de source de 100 V, courant de fuite continu de 1,7 A et résistance de fuite de source de 25 mOhms

Définition

Numéro de pièce:	EPC2051	Vds - Tension de claquage drain-source:	100 V
Id - Courant de vidange continu:	1.7 A	Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms
Qg - Charge de porte:	1,8 NC	Vgs - tension de Porte-source:	6 V, - 4 V
Mettre en évidence:	Transistor eGaN FET à tension drain-source 100 V , Transistor de puissance à courant de vidange continu 1 , 7 A

Circuit intégré EPC2051 - Puce de transistors eGaN FET

Transistor de puissance à mode d'amélioration 100V avec une mobilité électronique exceptionnellement élevée et un faible coefficient de température pour des performances supérieures dans les applications de puissance.

Aperçu du produit

L'EPC2051 est un transistor de puissance à mode d'amélioration eGaN FET de 100 V qui offre des performances exceptionnelles grâce à sa structure de dispositif latérale et à sa conception de diode à porteurs majoritaires, offrant des pertes à l'arrêt ultra-faibles (QG) et une variation de résistance de commutation nulle (QRR).

Spécifications techniques

Paramètre	Valeur
Série	eGaN®
Emballage	Ruban et bobine (TR) Ruban coupé (CT) Digi-Reel®
Statut de la pièce	Actif
Type de FET	N-Canal
Technologie	GaNFET (Nitride de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	1,7 A (Ta)
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1.5mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs	2.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	258 pF @ 50 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier du dispositif du fournisseur	Die
Boîtier / Boîtier	Die

Applications

Architectures de serveurs en rack ouvert
Applications lidar/puissance pulsée
Alimentations électriques
Audio de classe D
Éclairage LED
Entraînement de moteur à faible inductance
Module ToF utilisant un laser Vcsel pour les modules de caméra, les ordinateurs portables et les smartphones

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Foire aux questions

Vos produits sont-ils originaux ?

Oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.

Quels certificats avez-vous ?

Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre de l'ERAI.

Pouvez-vous prendre en charge une commande de petite quantité ou un échantillon ? L'échantillon est-il gratuit ?

Oui, nous prenons en charge les commandes d'échantillons et les petites commandes. Le coût de l'échantillon est différent selon votre commande ou votre projet.

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Personne à contacter: Sales Manager

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