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Circuit intégré SPP17N80C3, transistor de puissance CoolMOS™ 800V, MOSFET canal N TO-220-3, 17A

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Circuit intégré SPP17N80C3, transistor de puissance CoolMOS™ 800V, MOSFET canal N TO-220-3, 17A

Circuit intégré SPP17N80C3, transistor de puissance CoolMOS™ 800V, MOSFET canal N TO-220-3, 17A
Circuit intégré SPP17N80C3, transistor de puissance CoolMOS™ 800V, MOSFET canal N TO-220-3, 17A Circuit intégré SPP17N80C3, transistor de puissance CoolMOS™ 800V, MOSFET canal N TO-220-3, 17A

Image Grand :  Circuit intégré SPP17N80C3, transistor de puissance CoolMOS™ 800V, MOSFET canal N TO-220-3, 17A

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: SPP17N80C3
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-220-3
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Contact

Circuit intégré SPP17N80C3, transistor de puissance CoolMOS™ 800V, MOSFET canal N TO-220-3, 17A

Définition
Numéro de pièce: SPP17N80C3 Vds - Tension de claquage drain-source: Pour les appareils électroniques
Id - Courant de vidange continu: 17 A Rds On - Résistance drain-source: 290 mOhms
Qg - Charge de porte: 88 OR Pd - Dissipation de puissance: 227 W
Mettre en évidence:

Circuit intégré 800V

,

Transistor de puissance 17A

,

MOSFET CoolMOS™

Circuit intégré SPP17N80C3 - Transistor de puissance CoolMOS™ 800V
Le SPP17N80C3 est un transistor MOSFET de puissance à canal N CoolMOS™ 800V en boîtier TO-220-3, conçu pour les applications de puissance haute tension avec des caractéristiques de performance exceptionnelles.
Spécifications techniques
Paramètre Valeur
Série CoolMOS™
Type de FET Canal N
Technologie MOSFET (Oxyde métallique)
Tension Drain-Source (Vdss) 800 V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 177 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (Max) 208W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Traversant
Boîtier du fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier / Boîtier TO-220-3
Principales caractéristiques
  • Nouvelle technologie haute tension révolutionnaire
  • Meilleur RDS(on) au monde en boîtier TO-220
  • Charge de grille ultra faible pour une commutation efficace
  • Évaluation périodique en avalanche pour des performances robustes
  • Évaluation dv/dt extrême pour les applications à haute vitesse
  • Capacités effectives ultra faibles
  • Caractéristiques de transconductance améliorées
  • PG-TO-220-3-31 : boîtier entièrement isolé (2500 VAC ; 1 minute)
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MC56F80736VLF LQFP48
MC56F84769VLL LQFP100
Foire aux questions
Vos produits sont-ils d'origine ?
Oui, tous les produits sont d'origine. L'importation d'origine neuve est notre objectif.
Quels certificats possédez-vous ?
Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre de l'ERAI.
Pouvez-vous prendre en charge une commande de petite quantité ou un échantillon ? L'échantillon est-il gratuit ?
Oui, nous prenons en charge les commandes d'échantillons et les petites commandes. Le coût de l'échantillon varie en fonction de votre commande ou des exigences du projet.
Comment expédier ma commande ? Est-ce sûr ?
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Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

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