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NT5CB128M16JR-FL Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 automobile haute vitesse, 2Gb, boîtier BGA96

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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NT5CB128M16JR-FL Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 automobile haute vitesse, 2Gb, boîtier BGA96

NT5CB128M16JR-FL Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 automobile haute vitesse, 2Gb, boîtier BGA96
NT5CB128M16JR-FL Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 automobile haute vitesse, 2Gb, boîtier BGA96

Image Grand :  NT5CB128M16JR-FL Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 automobile haute vitesse, 2Gb, boîtier BGA96

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: NT1département d'État NT1département d'État
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: BGA96
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Contact

NT5CB128M16JR-FL Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 automobile haute vitesse, 2Gb, boîtier BGA96

Définition
Numéro de pièce: NT1département d'État NT1département d'État Emballer: BGA96
Température de fonctionnement: -40℃ à 105℃ Taper: Puce de mémoire IC
Mettre en évidence:

SDRAM DDR3 haute vitesse

,

Puce IC de mémoire automobile

,

CI de mémoire SDRAM 2 Go

NT1dépôt d'impôts
IC mémoire SDRAM automobile haute vitesse DDR3 2 Gb
Vue d'ensemble du produit
La NT5CB128M16JR-FL DDR3 SDRAM est une mémoire dynamique à accès aléatoire à haute vitesse configurée en interne comme une DRAM à huit banques.Cette puce de mémoire automobile utilise une architecture de précommande 8n pour obtenir un fonctionnement à grande vitesse, combinée à une interface conçue pour transférer deux mots de données par cycle d'horloge aux broches E/S.
Caractéristiques techniques
  • Compatible avec la norme DDR3
  • L'architecture de la préfetch
  • L'horloge différentielle (CK/CK#) et la borne de données (DQS/DQS#)
  • Taux de double transmission des données sur les DQ, les DQS et les DM
  • Autorefraîchissement automatique (ASR) par DRAM intégré au système
  • Mode de mise à jour automatique et auto-actualisation
  • Mode d'arrêt pour l'efficacité énergétique
  • Conformité à la présentation de l'AEC-Q100 et du PPAP
  • Forteur du lecteur configurable pour la compatibilité du système
  • Termination à l'épreuve du matériau configurable
  • Étalonnage ZQ pour la précision de l'impédance DS/ODT via une plaque ZQ externe (240 ohms ±1%)
  • Écrire le nivellement via les paramètres MR
  • Lire le niveau par MPR
Image du produit
NT5CB128M16JR-FL Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 automobile haute vitesse, 2Gb, boîtier BGA96 0
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Questions fréquemment posées
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Oui, tous les produits sont originaux, l'importation originale est notre but.
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