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Puce de circuit intégré AON6407 Transistor MOSFET canal P 30V avec courant de drain continu de 32A en boîtier 8-DFN

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Puce de circuit intégré AON6407 Transistor MOSFET canal P 30V avec courant de drain continu de 32A en boîtier 8-DFN

Puce de circuit intégré AON6407 Transistor MOSFET canal P 30V avec courant de drain continu de 32A en boîtier 8-DFN
Puce de circuit intégré AON6407 Transistor MOSFET canal P 30V avec courant de drain continu de 32A en boîtier 8-DFN Puce de circuit intégré AON6407 Transistor MOSFET canal P 30V avec courant de drain continu de 32A en boîtier 8-DFN

Image Grand :  Puce de circuit intégré AON6407 Transistor MOSFET canal P 30V avec courant de drain continu de 32A en boîtier 8-DFN

Détails sur le produit:
Place of Origin: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Model Number: AON6407
Conditions de paiement et expédition:
Minimum Order Quantity: 10
Prix: Contact for Sample
Packaging Details: 8-DFN
Delivery Time: 5-8 work days
Payment Terms: T/T,L/C,Western Union

Puce de circuit intégré AON6407 Transistor MOSFET canal P 30V avec courant de drain continu de 32A en boîtier 8-DFN

Définition
Part Number: AON6407 FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Mettre en évidence:

Transistor MOSFET de tension de drain à source de 30 V

,

Puce de circuit intégré à courant de vidange continu 32A

,

MOSFET à canal P

AON6407 Circuit intégré Puce 30V MOSFET P-Channel Transistors
MOSFET P-Channel avancé en boîtier 8-DFN avec technologie trench et conception à faible résistance pour des performances optimales dans les applications de commutateur de charge et de protection de batterie.
Aperçu du produit
L'AON6407 combine une technologie MOSFET trench avancée avec un boîtier à faible résistance pour fournir un RDS(ON) extrêmement faible, ce qui le rend idéal pour les applications de commutateur de charge et de protection de batterie.
Spécifications techniques
Paramètre Spécification
Type de FET P-Channel
Technologie MOSFET (Oxyde métallique)
Tension Drain-Source (Vdss) 30 V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 32A (Ta), 85A (Tc)
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3505 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (Max) 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Image du produit
Puce de circuit intégré AON6407 Transistor MOSFET canal P 30V avec courant de drain continu de 32A en boîtier 8-DFN 0
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MPX5700A 6-SIP MODULE
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MPX5700ASX 6-SIP MODULE
MPX5700D 6-SIP MODULE
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5M570ZT144C5N TQFP-144
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Foire aux questions
Vos produits sont-ils originaux ?
Oui, tous les produits sont originaux, l'importation originale neuve est notre objectif.
Quels certificats avez-vous ?
Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre de l'ERAI.
Pouvez-vous prendre en charge une commande de petite quantité ou un échantillon ? L'échantillon est-il gratuit ?
Oui, nous prenons en charge les commandes d'échantillons et les petites commandes. Le coût de l'échantillon varie en fonction de votre commande ou des exigences du projet.
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Qu'en est-il du délai de livraison ?
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