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IPT007N06N Circuit intégré 60V OptiMOS™ Transistor MOSFET de puissance canal N avec courant de drain continu de 300A et résistance drain-source de 750 uOhms

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

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Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

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—— Nishikawa, du Japon

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Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

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IPT007N06N Circuit intégré 60V OptiMOS™ Transistor MOSFET de puissance canal N avec courant de drain continu de 300A et résistance drain-source de 750 uOhms

IPT007N06N Circuit intégré 60V OptiMOS™ Transistor MOSFET de puissance canal N avec courant de drain continu de 300A et résistance drain-source de 750 uOhms
IPT007N06N Circuit intégré 60V OptiMOS™ Transistor MOSFET de puissance canal N avec courant de drain continu de 300A et résistance drain-source de 750 uOhms IPT007N06N Circuit intégré 60V OptiMOS™ Transistor MOSFET de puissance canal N avec courant de drain continu de 300A et résistance drain-source de 750 uOhms

Image Grand :  IPT007N06N Circuit intégré 60V OptiMOS™ Transistor MOSFET de puissance canal N avec courant de drain continu de 300A et résistance drain-source de 750 uOhms

Détails sur le produit:
Place of Origin: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Model Number: IPT007N06N
Conditions de paiement et expédition:
Minimum Order Quantity: 10
Prix: Contact for Sample
Packaging Details: HSOF-8
Delivery Time: 5-8 work days
Payment Terms: T/T,L/C,Western Union
Contact

IPT007N06N Circuit intégré 60V OptiMOS™ Transistor MOSFET de puissance canal N avec courant de drain continu de 300A et résistance drain-source de 750 uOhms

Définition
Part Number: IPT007N06N Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:: 60 V
Id - Continuous Drain Current:: 300 A Rds On - Drain-Source Resistance:: 750 uOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:: - 20 V, 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:: 2.1 V
Mettre en évidence:

Puce de circuit intégré de tension drain-source 60 V

,

Transistor MOSFET de puissance à courant de vidange continu 300A

,

Résistance drain-source de 750 uOhms OptiMOS™ canal N

Puce à circuit intégré IPT007N06N 60V OptiMOS™ Transistor MOSFET de puissance à canal N
Aperçu du produit

L'IPT007N06N est un transistor MOSFET de puissance à canal N OptiMOS™ de 60 V doté d'un boîtier sans plomb TO optimisé pour les applications à courant élevé, notamment les chariots élévateurs, les véhicules électriques légers (LEV), les systèmes point-of-load (POL) et les télécommunications. Ce boîtier offre une efficacité exceptionnelle, des performances EMI supérieures, d'excellentes caractéristiques thermiques et une conception peu encombrante pour les applications haute puissance.

Spécifications
Paramètre Valeur
Type de FET Canal N
Technologie MOSFET (Oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60 V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 300A (Tc)
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0,75 mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3,3V @ 280µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 287 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 16000 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (Max) 375W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Principales caractéristiques
  • R le plus bas de l'industrieDS(on)
  • Capacité de courant la plus élevée >480A
  • Faibles parasites et inductances du boîtier
Avantages de performance
  • Réduction des exigences de mise en parallèle et de refroidissement
  • Fiabilité du système la plus élevée
  • Réduction des coûts du système
  • Permet une conception très compacte
Applications
  • Systèmes haute tension de convertisseur CC-CC
  • Unité de contrôle de pile à combustible (FCCU)
  • Outils électriques sans fil et équipements électriques d'extérieur
  • Applications industrielles
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Numéro de pièce Boîtier
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PIC18F27Q83-E/5N 28-VQFN
PIC18F57Q83-I/PT 48-TQFP
PIC18F47Q83-I/NHX 40-VQFN
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R7F101GJG3CFA LQFP-52
R7F101GEE2DNP HWQFN-40
R7F101GAE3CSP LSSOP-30
R7F101GEE3CNP HWQFN-40
LCMXO3L-9400C-6BG256C 256-CABGA
LP8865WQDMTRQ1 14-VSON
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Foire aux questions
Vos produits sont-ils d'origine ?
Oui, tous les produits sont d'origine. L'importation d'origine neuve est notre principale activité.
Quels certificats possédez-vous ?
Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre de l'ERAI.
Pouvez-vous prendre en charge une commande de petite quantité ou un échantillon ? L'échantillon est-il gratuit ?
Oui, nous prenons en charge les commandes d'échantillons et les commandes de petites quantités. Le coût de l'échantillon varie en fonction des exigences de votre commande ou des spécifications du projet.
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Nous pouvons expédier les pièces en stock dans les 5 jours ouvrables. Pour les articles qui ne sont pas en stock, nous confirmerons le délai de livraison en fonction de la quantité de votre commande.

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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