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FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
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—— Nishikawa, du Japon

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FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC
FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

Image Grand :  FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: FM24V10-GTR
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: 8-SOIC
Délai de livraison: 3-5 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 10000 pièces par jour

FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

Définition
Numéro de pièce: FM24V10-GTR Taille de mémoire:: 1 Mbit
Type d'interface:: I2C Fréquence d'horloge maximale:: 3.4 MHz
Organisation du projet: 128 k x 8 Tension d'alimentation de fonctionnement:: 2 V à 3,6 V
Mettre en évidence:

FM24V10-GTR F-RAM memory IC

,

1Mbit I2C memory chip

,

3.4MHz serial memory IC

FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC
Product Description
The FM24V10-GTR is a 1-Mbit nonvolatile memory chip utilizing advanced ferroelectric technology. This F-RAM (Ferroelectric RAM) offers nonvolatile storage with RAM-like read/write performance. It ensures reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities and reliability issues associated with EEPROM and other nonvolatile memory solutions.
Specifications
Memory Format FRAM
Technology FRAM (Ferroelectric RAM)
Memory Size 1Mbit
Memory Organization 128K x 8
Memory Interface I2C
Clock Frequency 3.4 MHz
Access Time 130 ns
Voltage - Supply 2V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Key Features
  • 1-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) organized as 128K * 8
  • High endurance: 100 trillion (10¹⁴) read/write cycles
  • 151-year data retention
  • NoDelay™ writes for immediate data storage
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • Fast two-wire Serial interface (I2C)
  • Supports frequencies up to 3.4 MHz
  • Direct hardware replacement for serial (I2C) EEPROM
  • Low power consumption: 175μA active current at 100 kHz
  • Standby current: 90μA (typical)
  • Sleep mode current: 5μA (typical)
  • Low-voltage operation: 2.0V to 3.6V
  • Industrial temperature range: -40℃ to +85℃
  • 8-pin SOIC package
  • RoHS compliant
Related Components in Stock
Part Number Package
ISSI20R11HXUMA1 PG-DSO-8
ISSI30R12HXUMA1 PG-DSO-16
4DIR2400HAXUMA1 PG-DSO-16
CY15V116QSN-108BKXI FBGA-24
4DIR0400HAXUMA1 PG-DSO-16
S70KL1282DPBHV023 24-FBGA
S70KL1282GABHV023 24-FBGA
S70KL1282DPBHB020 24-FBGA
S70KL1282DPBHB023 24-FBGA
S70KS1282GABHB020 24-FBGA
S70KS1282GABHA020 24-FBGA
S70KS1282GABHI020 24-FBGA
S70KL1282DPBHA020 24-FBGA
RV1S9231ACCSP-10YV#SC0 5-LSSO
RV1S9353ACCSP-120V#SC0 8-SMD
ISSI30R11HXUMA1 PG-DSO-16
4DIR0401HAXUMA1 PG-DSO-16
4DIR1400HAXUMA1 PG-DSO-16
4DIR1421HAXUMA1 PG-DSO-16
4DIR1420HAXUMA1 PG-DSO-16
STM32H7R7L8H6H TFBGA-225
STM32H7R7Z8J6 UFBGA-144
STM32H7S7I8K6 UFBGA-201
STM32H7S7I8T6 LQFP-176
STM32H7S7L8H6 TFBGA-225
STM32H7S7L8H6H TFBGA-225
STM32H7S7Z8J6 UFBGA-144
STM32H7S3A8I6 UFBGA-169
STM32H7S3I8K6 UFBGA-201
STM32H7S3I8T6 LQFP-176
Frequently Asked Questions
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Yes, all products are original. We specialize in new original imported components.
Which Certificates do you have?
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Can you support small quantity orders or samples? Is the sample free?
Yes, we support sample orders and small quantity orders. Sample costs vary depending on your order or project requirements.
How do you ship orders? Is it safe?
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What is your lead time?
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Télécopieur: 86-0755-83957753

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