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STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

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STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology

STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology
STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology

Image Grand :  STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: STD18N60M6
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: DPAK-3 (TO-252-3)
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Contact

STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology

Définition
Numéro de pièce: STD18N60M6 Vds - tension claque de Drain-source: 600 V
Identification - courant continu de drain: 13 A Le RDS sur - la résistance de Drain-source: 280 mOhms
Qg - charge de porte: 16,8 NC PD - dissipation de puissance: 110 W
Mettre en évidence:

600V Power MOSFET

,

13A MOSFET Transistor

,

280mOhm N-Channel MOSFET

STD18N60M6 Integrated Circuit Chip 600V MDmesh M6 N-Channel Power MOSFET Transistors
Product Description
STD18N60M6 is a 600V, 13A, MDmesh™ M6 Series N-channel Power MOSFET Transistor in a DPAK package.
Specifications
Series MDmesh™ M6
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252 (DPAK)
Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Features
  • Reduced switching losses
  • Lower RDS(on) per area vs previous generation
  • Low gate input resistance
  • 100% avalanche tested
  • Zener-protected
Applications
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PCA9482UKZ 42-UFBGA
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Q: What about the lead time?
A: We can ship stock parts within 5 working days. If without stock, we will confirm lead time for you based on your order quantity.

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

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