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IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

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Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

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IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package

IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package
IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package

Image Grand :  IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IRLR3636TRPBF
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-252-3
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Contact

IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package

Définition
Numéro de pièce: IRLR3636TRPBF Package / étui: DPAK-3 (TO-252-3)
Vds - tension claque de Drain-source: 60 V Identification - courant continu de drain: 99 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source: 6.8 MOhms Qg - charge de porte: 49 OR
Mettre en évidence:

60V Power MOSFET Transistor

,

99A HEXFET Transistor

,

6.8 mOhms N-Channel MOSFET

IRLR3636TRPBF Integrated Circuit Chip 60V HEXFET Single N-Channel Power MOSFET Transistors

IRLR3636TRPBF is a 60V, HEXFET Single N-Channel Power MOSFET Transistor in a D-Pak package. Part of the StrongIRFET™ power MOSFET family, it is optimized for low RDS(on) and high current capability.

This component is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Specifications
Series HEXFET®
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3779 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 143W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252AA (DPAK)
Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Key Features
  • Optimized for Logic Level Drive
  • Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Superior R*Q at 4.5V VGS
  • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
  • Lead-Free
Typical Applications
  • DC Motor Drive
  • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
  • Uninterruptible Power Supply
  • High Speed Power Switching
  • Hard Switched and High Frequency Circuits
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Q: What about the lead time?
A: We can ship stock parts within 5 working days. If without stock, we will confirm lead time for you based on your order quantity.

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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