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IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
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—— Nishikawa, du Japon

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—— Nishikawa, du Japon

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IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance
IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Image Grand :  IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IRF6894MTRPBF
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: DirectFET MX
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T / T, L / C, Western Union

IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Définition
Numéro de pièce: IRF6894MTRPBF Vds - tension claque de Drain-source: 25 V
Identification - courant continu de drain: 170 A Le RDS sur - la résistance de Drain-source: 10,7 mOhms
Qg - charge de porte: 29 après JC PD - dissipation de puissance: 54 W
Mettre en évidence:

25V HEXFET Power MOSFET

,

170A Continuous Drain Current Integrated Circuit Chip

,

1.7mOhms Drain-Source Resistance Power MOSFET

IRF6894MTRPBF Integrated Circuit Chip 25V HEXFET Power MOSFET Plus Schottky Diode Product Description IRF6894MTRPBF is a 25V, Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 33 amperes with optimized low on-resistance. This product combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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