SPW35N60C3 puce de circuit intégré CoolMOSTM Transistors MOSFET à alimentation N-Channel

Name: SPW35N60C3 puce de circuit intégré CoolMOSTM Transistors MOSFET à alimentation N-Channel
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: SPW35N60C3
Availability: InStock

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SPW35N60C3 puce de circuit intégré CoolMOSTM Transistors MOSFET à alimentation N-Channel

Image Grand : SPW35N60C3 puce de circuit intégré CoolMOSTM Transistors MOSFET à alimentation N-Channel

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	N.N.
Nom de marque:	Original Factory
Certification:	Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle:	SPW35N60C3

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	10
Prix:	Contact for Sample
Détails d'emballage:	TO-247-3
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T, L/C, Western Union

Contact

SPW35N60C3 puce de circuit intégré CoolMOSTM Transistors MOSFET à alimentation N-Channel

Définition

Numéro de pièce:	SPW35N60C3	Polarité du transistor ::	N-canal
Nombre de canaux ::	1ère chaîne	Vds - Tension de claquage drain-source ::	600 V ou plus
Id - Courant de drain continu ::	34.6 A	Rds On - Drain-Source Resistance::	100 mOhms
Mettre en évidence:	SPW35N60C3 , Puce de circuit intégré SPW35N60C3 , Transistors MOSFET à alimentation par canal N CoolMOS

Le nombre total de véhicules à moteur est de: Transistor MOSFET à puissances N-canal à puce de circuit intégré CoolMOSTM

Description du produit SPW35N60C3
Le SPW35N60C3 est un transistor MOSFET de puissance N-Channel CoolMOSTM de 600 V dans le paquet TO-247-3.

Spécification du SPW35N60C3

Polarité du transistor:	N-canal
Nombre de chaînes:	1ère chaîne
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange:	600 V ou plus
Id - Courant de vidange continu:	34.6 A
Rds On - Résistance à la source de drainage:	100 mOhms
Vgs - Tension de la source de sortie:	- 20 V, plus 20 V
Vgs th - tension de seuil de la porte-source:	2.1 V
Qg - Charge de la porte:	150 après JC
Température de fonctionnement minimale:	- 55 °C
Température de fonctionnement maximale:	+ 150 °C
Pd - Dissipation de puissance:	313 W
Mode du canal:	Amélioration
La configuration:	Unique
Temps d'automne:	10 ns
Transconductivité vers l'avant - Min:	36 S
La hauteur:	21.1 mm
Longueur:	16.13 mm
Type de produit:	Les MOSFET
Heure de montée:	5 ans
Temps de retard typique pour l'arrêt:	70 ns
Temps de retard typique d'allumage:	10 ns
Largeur:	5.21 mm
Poids unitaire:	6 g

Caractéristiques du SPW35N60C3
Nouvelle technologie révolutionnaire de haute tension
Charge de porte extrêmement basse
Périodique avalanche nominale
Résultats de l'essai
Capacités efficaces extrêmement faibles
Amélioration de la transconductivité
Plaquage au plomb sans Pb; conforme à la réglementation RoHS
Qualifié selon le JEDEC pour les applications ciblées

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Questions fréquentes
Q. Vos produits sont-ils originaux?
R: Oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.
Q: Quels certificats avez-vous?
R: Nous sommes une société certifiée ISO 9001:2015 et membre de l'ERAI.
Q: Pouvez-vous prendre en charge la commande ou l'échantillon en petite quantité?L'échantillon est-il gratuit?
R: Oui, nous soutenons les commandes d'échantillons et les petites commandes. Le coût des échantillons est différent selon votre commande ou votre projet.
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