IMT65R057M1H Transistor MOSFET au carbure de silicium 650V 57 mΩ dans le paquet TOLL pour une haute densité de puissance

IMT65R057M1H CoolSIC™ MOSFET 650 V, 57 mΩ en boîtier TOLL exploite les atouts de la technologie Infineon SiC pour permettre des conceptions à plus haute densité et des opérations à fréquence de commutation plus élevée. Le petit facteur de forme et le faible parasitage du TOLL permettent une utilisation efficace et efficiente de l'espace de la carte ainsi que pour piloter le MOSFET à des fréquences plus élevées, atteignant une densité de puissance plus élevée.

L'offre CoolSIC™ MOSFET 650 V, 57 mΩ en boîtier TOLL est complétée par la disponibilité de TOLL également pour CoolMOS™ et CoolGaN™, ce qui en fait une option de guichet unique attrayante pour divers systèmes. La réduction de l'impédance thermique par rapport au D²PAK, associée à l'interconnexion innovante .XT, rend le produit de 57 mΩ adapté aux systèmes de puissance élevée à moyenne, avec des objectifs de rendement élevé.

Il s'adapte parfaitement à la topologie émergente Totem Pole PFC dans les systèmes de puissance élevée à moyenne. Il permet également une efficacité et une densité élevées dans les étages DC-DC et AC-DC des systèmes de puissance élevée à moyenne. Il est également utilisé avec succès dans les topologies entrelacées pour répondre aux objectifs de haute efficacité dans les systèmes haute puissance.