Puce de circuit intégré GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN sur les transistors SiC HEMT

Les circuits intégrés GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN sur les transistors SiC HEMT

Description du produitLe nombre d'équipements utilisés est déterminé par la méthode suivante:

Le GTVA262701FA-V2-R2 est un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) de 270 watts GaN sur SiC pour une utilisation dans des applications d'amplificateurs de puissance cellulaires multi-standard.un revêtement de surface thermiquement renforcé avec bride sans oreille.

SpécificationDesLe nombre d'équipements utilisés est déterminé par la méthode suivante:

Caractéristique deLe nombre d'équipements utilisés est déterminé par la méthode suivante:

• GaN sur la technologie SiC HEMT
• Matching des entrées
• Performance CW typique pulsée: largeur d'impulsion de 10 μs, cycle de travail de 10%, 2690 MHz, 48 V
- Puissance de sortie à P3dB = 270 W
- Efficacité = 66%
- Gain = 18,1 dB
• Modèle de corps humain de classe 1B (selon ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
• Capable de gérer une puissance de sortie 10: 1 VSWR @ 48 V, 60 W (WCDMA)
• sans Pb et conforme à la réglementation RoHS

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Questions fréquentes
Q. Vos produits sont-ils originaux?
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Q: Pouvez-vous prendre en charge la commande ou l'échantillon en petite quantité?L'échantillon est-il gratuit?
R: Oui, nous soutenons les commandes d'échantillons et les petites commandes. Le coût des échantillons est différent selon votre commande ou votre projet.
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