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Aperçu ProduitsGaN IC

IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de puissance avec 55 mΩ RDS ((on) et commutation ultra-rapide pour une efficacité élevée

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

—— Richardg, d'Allemagne

Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

—— Tim, de Malaisie

Le service à la clientèle fourni par est excellent. Ils sont toujours réactifs et serviables, en veillant à ce que nos besoins soient satisfaits rapidement.

—— Vincent, de Russie

Les prix sont excellents, la livraison est rapide et le service à la clientèle est de premier ordre.

—— Nishikawa, du Japon

Des composants fiables, une expédition rapide et un excellent support.

—— Sam, des États-Unis

Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

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IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de puissance avec 55 mΩ RDS ((on) et commutation ultra-rapide pour une efficacité élevée

IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de puissance avec 55 mΩ RDS ((on) et commutation ultra-rapide pour une efficacité élevée
IGT60R070D1 GaN IC 600V Power Transistor with 55 mΩ RDS(on) and Ultrafast Switching for High Efficiency
IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de puissance avec 55 mΩ RDS ((on) et commutation ultra-rapide pour une efficacité élevée IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de puissance avec 55 mΩ RDS ((on) et commutation ultra-rapide pour une efficacité élevée IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de puissance avec 55 mΩ RDS ((on) et commutation ultra-rapide pour une efficacité élevée

Image Grand :  IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de puissance avec 55 mΩ RDS ((on) et commutation ultra-rapide pour une efficacité élevée

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: N.N.
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IGT60R070D1
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: PG-HSOF-8-3
Délai de livraison: 3-5 jours ouvrables
Conditions de paiement: TT
Capacité d'approvisionnement: 10000 pièces par jour
Contact

IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de puissance avec 55 mΩ RDS ((on) et commutation ultra-rapide pour une efficacité élevée

Définition
Numéro de pièce: IGT60R070D1 DI (@ TA=25°C) max: 31 A
IDpulse (@25°C) max: 60 a Ptot maximum: 125W
Qg: 5.8 nC RDS (activé) (type): 55 mΩ

IGT60R070D1 GaN IC IGT60R070D1ATMA4 CoolGaN™ Transistor de puissance en mode E 600 V

L'IGT60R070D1 permet une topologie plus compacte et un rendement plus élevé lors d'un fonctionnement à fréquence plus élevée. Il est certifié via un processus de qualification approfondi spécifique au GaN, dépassant les normes de l'industrie. Logé dans le boîtier HSOF-8 (TO-leadless) refroidi par le bas, il est conçu pour une dissipation de puissance optimale requise dans les centres de données, les serveurs, les télécommunications, les énergies renouvelables et de nombreuses autres applications modernes.

Caractéristiques
  • HEMT en mode E - normalement éteint
  • Commutation ultrarapide
  • Pas de frais de récupération
  • Capable de conduction inverse
  • Faible charge de grille, faible charge de sortie
  • Robustesse de commutation supérieure
  • Qualifié JEDEC (JESD47, JESD22)
  • RDS à faible dynamique (activé)
  • Refroidi par le bas
Avantages
  • Améliore l’efficacité du système
  • Améliore la densité de puissance
  • Permet une fréquence de fonctionnement plus élevée
  • Économies de réduction des coûts du système
  • Réduit les EMI
Applications
  • IBC moyenne tension (48 V)
  • Stockage d'énergie par batterie (BESS)
  • Solutions d'alimentation sur rail DIN
  • Alimentations sans coupure (UPS)
Autres types de produits d'approvisionnement
Numéro de pièce Emballer
AWR1843ABGABLRQ1FCBGA161
STM32WB55VGQ6BGA129
XC5VLX30T-2FF323IBGA
XC5VLX30T-1FF323CBGA
LIF-MDF6000-6KMG80IBGA-80
SIM8260C-M2Module
SIM8260CModule
SIM8100Module
SIM8800CEModule
SIM8800EModule
SIM8973CEModule
SIM8973EAModule
SIM8973WModule
TPS79333DBVRQ1SOT23-5
AMC1035QDRQ1SOIC-8
TPS25865QRPQRQ1QFN
UCC27200QDDARQ1SOP8
LM26480QSQ-AA/NOPBWQFN-24
TPS79633QDCQRQ1SOT-223-6
AMC23C12QDWVRQ1SOIC8
TPS62402QDRCRQ1VSON10
TPS76933QDBVRG4Q1SOT23-5
XC7A100T-2FGG484IBGA484
XC6SLX25-2FGG484IBGA484
XC7A50T-1FTG256IBGA256
AIMBG120R040M1TO263-7
AIMBG120R010M1TO263-7
AIMBG120R120M1TO263-7
STM32H747AGI6UFBGA169
STM32H747AII6UFBGA169
Foire aux questions
Vos produits sont-ils originaux ?
Oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.
Quels certificats possédez-vous ?
Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001 :2015 et membre de l'ERAI.
Pouvez-vous prendre en charge une commande ou un échantillon en petite quantité ? L'échantillon est-il gratuit ?
Oui, nous acceptons les commandes d'échantillons et les petites commandes. Le coût de l'échantillon est différent selon votre commande ou votre projet.
Comment expédier ma commande ? Est-ce sécuritaire?
Nous utilisons express pour expédier, tel que DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré. Les produits seront bien emballés et garantiront la sécurité et nous sommes responsables des dommages causés aux produits par votre commande.
Qu'en est-il du délai de livraison ?
Nous pouvons expédier les pièces en stock sous 5 jours ouvrés. Si vous n'avez pas de stock, nous vous confirmerons le délai de livraison en fonction de la quantité commandée.

Produit Tag:

VQFN54 a intégré le demi pont Gan Driver,

FET de LMG3422R030RQZR GaN,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

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