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Puces des transistors 1200V IC de transistor MOSFET de N-canal des transistors NTBG014N120M3P TO-263-8

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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Puces des transistors 1200V IC de transistor MOSFET de N-canal des transistors NTBG014N120M3P TO-263-8

Puces des transistors 1200V IC de transistor MOSFET de N-canal des transistors NTBG014N120M3P TO-263-8
Transistors NTBG014N120M3P TO-263-8 N-Channel MOSFET Transistors 1200V IC Chips
Puces des transistors 1200V IC de transistor MOSFET de N-canal des transistors NTBG014N120M3P TO-263-8 Puces des transistors 1200V IC de transistor MOSFET de N-canal des transistors NTBG014N120M3P TO-263-8

Image Grand :  Puces des transistors 1200V IC de transistor MOSFET de N-canal des transistors NTBG014N120M3P TO-263-8

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: NTBG014N120M3P
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-263-8
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Contact

Puces des transistors 1200V IC de transistor MOSFET de N-canal des transistors NTBG014N120M3P TO-263-8

Définition
Numéro de la pièce: NTBG014N120M3P Palladium - dissipation de puissance: 454 W
Basses pertes de changement: Type. ÉON 1331 J à 74 A, 800 V Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Le RDS (dessus) maximum: 20 m @ 18 V Type. Le RDS (dessus): 14 m

Puces des transistors 1200V IC de transistor MOSFET de N-canal des transistors NTBG014N120M3P TO-263-8

 

Description de produit de NTBG014N120M3P

NTBG014N120M3P est des transistors de transistor MOSFET de carbure de silicium (sic) – EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, D2PAK-7L.

 

Spécifications de NTBG014N120M3P

Numéro de la pièce : NTBG014N120M3P
Configuration : Simple
Temps de chute : 14 NS
Transconductance en avant - minute : 29 S
Temps de montée : 40 NS
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Temps de retard d'arrêt typique : 74 NS
Temps de retard d'ouverture typique : 24 NS

 

Caractéristiques de NTBG014N120M3P

  • L'avalanche 100% a examiné
  • Type. Le RDS (dessus) = 14 m
  • Basses pertes de changement (type. ÉON J 1331 à 74 A, 800 V)

 

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Numéro de la pièce Paquet
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TCND5000 SMD

 

FAQ
Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

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Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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