Détails sur le produit:
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Numéro de la pièce: | SCT4026DEC11 | Le RDS (dessus) (type.): | 26mΩ |
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Plage de température de stockage: | -40°C à +175°C | Palladium - dissipation de puissance: | 176 W |
Montage du type: | Par le trou | Technologie: | SiCFET (carbure de silicium) |
De circuit intégré de la puce SCT4026DEC11 TO-247-3 de N-canal transistors de transistor MOSFET sic
Description de produit du 11 DÉCEMBRE SCT4026
SCT4026DEC11 est récupération inverse rapide, transistors de transistor MOSFET de N-canal sic, paquet est TO-247-3.
Spécifications du 11 DÉCEMBRE SCT4026
Numéro de la pièce | SCT4026DEC11 |
Type de FET
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N-canal
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Technologie
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SiCFET (carbure de silicium)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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750 V
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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56A (comité technique)
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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18V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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34mOhm @ 29A, 18V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4.8V @ 15.4mA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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94 OR @ 18 V
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Vgs (maximum)
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+21V, -4V
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Circuit de mesure de charge de porte du 11 DÉCEMBRE SCT4026
D'autres composants électroniques en stock
Numéro de la pièce | Paquet |
BCM5893PC0KFBG | BGA |
BCM5892PC0KFBG | BGA |
BCM5892PD0KFBG | BGA |
EL7585AILZ | QFN20 |
W9425G6JB-5 | TFBGA60 |
PI6C20400BLEX | TSSOP28 |
FAQ
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Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
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