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Aperçu ProduitsPuce de circuit intégré

Puce de circuit intégré SCTW40N120G2VAG Transistors à canal N MOSFET de puissance TO-247-3

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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Puce de circuit intégré SCTW40N120G2VAG Transistors à canal N MOSFET de puissance TO-247-3

Puce de circuit intégré SCTW40N120G2VAG Transistors à canal N MOSFET de puissance TO-247-3
Puce de circuit intégré SCTW40N120G2VAG Transistors à canal N MOSFET de puissance TO-247-3

Image Grand :  Puce de circuit intégré SCTW40N120G2VAG Transistors à canal N MOSFET de puissance TO-247-3

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: SCTW40N120G2VAG
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-3
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Puce de circuit intégré SCTW40N120G2VAG Transistors à canal N MOSFET de puissance TO-247-3

Définition
Numéro de la pièce: SCTW40N120G2VAG Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 33A (comité technique) Paquet/cas: HiP-247-3
Vidangez à la tension de source (Vdss): 1200 V Le RDS sur - la résistance de Drain-source: 100 mOhms

Transistors TO-247-3 de N-Channel de MOSFET de puissance de la puce SCTW40N120G2VAG de circuit intégré

 

Description du produit deSCTW40N120G2VAG

Le SCTW40N120G2VAG est un transistor MOSFET de puissance à canal N en carbure de silicium de qualité automobile, 1200 V, 33 A, 75 mΩ (typ., TJ = 25 °C) dans un boîtier HiP247.

 

Spécification deSCTW40N120G2VAG

Numéro d'article SCTW40N120G2VAG
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhms à 20 A, 18 V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC à 18 V
Vg (Max)
+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF à 800 V
Dissipation de puissance (maximum)
290W (TC)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
À travers le trou
Ensemble d'appareils du fournisseur
HiP247™
Paquet/caisse
TO-247-3

 

Les caractéristiques deSCTW40N120G2VAG

  • Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
  • Charge de grille et capacité d'entrée extrêmement faibles
  • Capacité de température de jonction de fonctionnement très élevée (TJ = 200 °C)

 

Autres composants électroniques en stock​

Numéro d'article Emballer
X9C104PIZ DIP8
STM8S007C8T6 LQFP48
LM317KTTR TO263
MT48LC4M16A2P-75 TSOP54
NCV5500DTADJRKG TO-252-5
XC7A200T-2SBG484C BGA-484

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
A: oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.
Q : Quels certificats possédez-vous ?
R : Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre d'ERAI.
Q : Pouvez-vous prendre en charge une commande ou un échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il gratuit ?
A: oui, nous soutenons la commande d'échantillon et la commande. Le coût de l'échantillon est différent selon votre commande ou votre projet.
Q : Comment expédier ma commande ?Est-ce sûr?
A: nous utilisons express pour expédier, tels que DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré. Les produits seront dans un bon emballage et assureront la sécurité et nous sommes responsables des dommages causés à votre commande.
Q : Qu'en est-il du délai de livraison ?
A: Nous pouvons expédier des pièces en stock dans les 5 jours ouvrables. Si sans stock, nous vous confirmerons le délai de livraison en fonction de la quantité de votre commande.
 
 

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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