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Transistors TW045N120C, transistors TO-247-3 de N-canal de transistor MOSFET de carbure de silicium de S1F

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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Transistors TW045N120C, transistors TO-247-3 de N-canal de transistor MOSFET de carbure de silicium de S1F

Transistors TW045N120C, transistors TO-247-3 de N-canal de transistor MOSFET de carbure de silicium de S1F
Transistors TW045N120C, transistors TO-247-3 de N-canal de transistor MOSFET de carbure de silicium de S1F Transistors TW045N120C, transistors TO-247-3 de N-canal de transistor MOSFET de carbure de silicium de S1F

Image Grand :  Transistors TW045N120C, transistors TO-247-3 de N-canal de transistor MOSFET de carbure de silicium de S1F

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: TW045N120C, S1F
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-3
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Transistors TW045N120C, transistors TO-247-3 de N-canal de transistor MOSFET de carbure de silicium de S1F

Définition
Numéro de la pièce: TW045N120C, S1F Haute tension: VDSS = 1200 V
résistance thermique de Canal-à-cas (maximum): 0.824°C/W La température de la Manche: 175°C
Basse sur-résistance de drain-source: Le RDS (DESSUS) de = Ω 45 m (type.) Tension en avant de basse diode: VDSF = -1,35 V (type.)

Transistors TW045N120C, transistors TO-247-3 de N-canal de transistor MOSFET de carbure de silicium de S1F

 

Description de produit de TW045N120C, S1F

TW045N120C, S1F est des transistors de SIC-transistor MOSFET de N-canal de 1200V 45mohm.

 

Spécifications de TW045N120C, S1F

Numéro de la pièce : TW045N120C, S1F Vds - tension claque de Drain-source : 1,2 KILOVOLTS
Montage du style : Par le trou Vgs - tension de Porte-source : - 10 V, + 25 V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ : 5V @ 1mA Identification - courant continu de drain : 20 A

 

Courbes de caractéristiques de TW045N120C, S1F

Transistors TW045N120C, transistors TO-247-3 de N-canal de transistor MOSFET de carbure de silicium de S1F 0

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
MAX15005BAUE TSSOP16
L9904TR SOP20
IXEL40N400 TO-247
EFM8BB21F16G-C-QFN20R QFN20
DL-3100 BGA
AMIS42665TJAA1RG SOP8

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.
   

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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