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Demande de soumission |
Aperçu ProduitsPuce de circuit intégré

Puce TW060N120C, carbure de circuit intégré de silicium des transistors TO-247-3 de N-canal de S1F

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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Puce TW060N120C, carbure de circuit intégré de silicium des transistors TO-247-3 de N-canal de S1F

Puce TW060N120C, carbure de circuit intégré de silicium des transistors TO-247-3 de N-canal de S1F
Integrated Circuit Chip TW060N120C,S1F N-Channel Transistors TO-247-3 Silicon Carbide
Puce TW060N120C, carbure de circuit intégré de silicium des transistors TO-247-3 de N-canal de S1F Puce TW060N120C, carbure de circuit intégré de silicium des transistors TO-247-3 de N-canal de S1F

Image Grand :  Puce TW060N120C, carbure de circuit intégré de silicium des transistors TO-247-3 de N-canal de S1F

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: TW060N120C, S1F
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-3
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Contact

Puce TW060N120C, carbure de circuit intégré de silicium des transistors TO-247-3 de N-canal de S1F

Définition
Numéro de la pièce: TW060N120C, S1F Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: 46 OR @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: 1530 PF @ 800 V Dissipation de puissance (maximum): 170W (comité technique)
Montage du type: Par le trou Paquet/cas: TO-247-3

Puce TW060N120C, carbure de circuit intégré de silicium des transistors TO-247-3 de N-canal de S1F

 

Description de produit de TW060N120C, S1F

TW060N120C, S1F est N-canal MOS Transistors, paquet de carbure de silicium est TO-247-3.

 

Spécifications de TW060N120C, S1F

Numéro de la pièce TW060N120C, S1F
Type de FET
N-canal
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
1200 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
36A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
78mOhm @ 18A, 18V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
5V @ 4.2mA

 

Courbes de caractéristiques de TW060N120C, S1F

Puce TW060N120C, carbure de circuit intégré de silicium des transistors TO-247-3 de N-canal de S1F 0

 

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Numéro de la pièce Paquet
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EP3SE80F1152C3N BGA1152
XC5VFX130T-2FF1738I FBGA

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.
   

Produit Tag:

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Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

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