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type 40 A du transistor MOSFET 650V 18mOhm de puissance de carbure de silicium de transistor MOSFET de 8-PowerVDFN SCTL90N65G2V

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
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—— Nishikawa, du Japon

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type 40 A du transistor MOSFET 650V 18mOhm de puissance de carbure de silicium de transistor MOSFET de 8-PowerVDFN SCTL90N65G2V

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Image Grand :  type 40 A du transistor MOSFET 650V 18mOhm de puissance de carbure de silicium de transistor MOSFET de 8-PowerVDFN SCTL90N65G2V

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: SCTL90N65G2V
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: HT de PowerFlat™ (8x8)
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

type 40 A du transistor MOSFET 650V 18mOhm de puissance de carbure de silicium de transistor MOSFET de 8-PowerVDFN SCTL90N65G2V

Définition
Numéro de la pièce: SCTL90N65G2V Technologie: SCI
Polarité de transistor: N-canal Nombre de canaux: 1 canal
Vds - tension claque de Drain-source: 650 V Identification - courant continu de drain: 40 A

type 40 A du transistor MOSFET 650V 18mOhm de puissance de carbure de silicium de transistor MOSFET de 8-PowerVDFN SCTL90N65G2V

 

Description de produit de SCTL90N65G2V

Transistor MOSFET 650 V, type de puissance de carbure de silicium de SCTL90N65G2V de 18 mΩ., 40 A dans un paquet de HT de PowerFLAT 8x8.

 

Spécifications de SCTL90N65G2V

Numéro de la pièce : SCTL90N65G2V
18 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
157 OR
- 55 C
+ 175 C
935 W

 

Caractéristiques de SCTL90N65G2V

  • Diode intrinsèque très rapide et robuste de corps
  • Basses capacités
  • Goupille de détection de source pour l'efficacité accrue

 

Applications de SCTL90N65G2V

  • Alimentation d'énergie de changement de mode
  • Convertisseurs de DC-DC
  • Contrôle de moteur industriel

 

Pin Configuration de SCTL90N65G2V

type 40 A du transistor MOSFET 650V 18mOhm de puissance de carbure de silicium de transistor MOSFET de 8-PowerVDFN SCTL90N65G2V 0

 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce Paquet
NJU7015R MSOP-8
NCP1251BSN65T1G SOT23-6
LM431ACM3X SOT23-3
TPS62290DRVR WSON6
SMV1270-079 SOD-0603
A3981KLPTR TSSOP-28

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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