Puce TW070J120B, transistors TO-3P-3 de circuit intégré de transistors MOSFET de N-canal de S1Q

Puce TW070J120B, transistors TO-3P-3 de circuit intégré de transistors MOSFET de N-canal de S1Q

Description de produit de TW070J120B, S1Q

TW070J120B, S1Q est N-canal MOS Transistors de carbure de silicium, par le trou TO-3P (N).

Spécifications de TW070J120B, S1Q

Caractéristiques de TW070J120B, S1Q

• Mode d'amélioration
• Conception de circuit intégré de 2ème génération (d'élément diode de barrière de Schottky sic)
• Tension en avant de basse diode : VDSF = -1,35 V (type.)
• Haute tension : VDSS = 1200 V
• Basse sur-résistance de drain-source : MΩ 70 du RDS (DESSUS) = (type.)
• Moins susceptible pour fonctionner mal en raison de la tension élevée de seuil : Vth = 4,2 à 5,8 V (VDS = 10 V, I D = 20 mA)

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FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
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Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.