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Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 650V 90A 390W de SCTW90N65G2V

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

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Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 650V 90A 390W de SCTW90N65G2V

Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 650V 90A 390W de SCTW90N65G2V
Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 650V 90A 390W de SCTW90N65G2V Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 650V 90A 390W de SCTW90N65G2V

Image Grand :  Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 650V 90A 390W de SCTW90N65G2V

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: SCTW90N65G2V
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-3
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 650V 90A 390W de SCTW90N65G2V

Définition
Numéro de la pièce: SCTW90N65G2V Le RDS dessus: 25 mOhms
Tension de seuil de Porte-source: 1,9 V Qg - charge de porte: 157 OR
Configuration: Simple Temps de montée: 38 NS

Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 650V 90A 390W de SCTW90N65G2V

 

Description de produit de SCTW90N65G2V

SCTW90N65G2V est le transistor MOSFET 650 V, 119 A, de puissance de carbure de silicium le mΩ 18 dans un paquet TO-247-3.

 

Spécifications de SCTW90N65G2V

Numéro de la pièce

SCTW90N65G2V

Temps de montée :

38 NS

Type de transistor :

1 N-canal

Temps de retard d'arrêt typique :

58 NS

Temps de retard d'ouverture typique :

26 NS

Poids spécifique :

4,500 g

 

Caractéristiques de SCTW90N65G2V

  • Diode intrinsèque très rapide et robuste de corps

  • Extrêmement - basses capacités de charge et d'entrée de porte

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce

Paquet

CSRB5341A11

QFN10

PI3USB30532ZLEX

TQFN40

SCA103T-D05

SMD-12

LCA710STR

SOP6

B50212EB1KMLG

QFN-48

AM27S49DC

CDIP24

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre
 

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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