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Transistors TO-247-4L de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal NTH4L040N120SC1

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
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—— Nishikawa, du Japon

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Transistors TO-247-4L de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal NTH4L040N120SC1

Transistors TO-247-4L de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal NTH4L040N120SC1
Transistors TO-247-4L de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal NTH4L040N120SC1 Transistors TO-247-4L de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal NTH4L040N120SC1

Image Grand :  Transistors TO-247-4L de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal NTH4L040N120SC1

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: NTH4L040N120SC1
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-4L
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Transistors TO-247-4L de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal NTH4L040N120SC1

Définition
Numéro de la pièce: NTH4L040N120SC1 Dissipation de puissance (maximum): 319W (comité technique)
Montage du type: Par le trou Vidangez à la tension de source (Vdss): 1200 V
Technologie: SiCFET (carbure de silicium) Mode de la Manche: Amélioration

Transistors TO-247-4L de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal NTH4L040N120SC1

 

Description de produit de NTH4L040N120SC1

NTH4L040N120SC1 est des transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 319W (comité technique) de 1200V 58A (comité technique), paquet est TO-247-4L.

 

Spécifications de NTH4L040N120SC1

Numéro de la pièce NTH4L040N120SC1
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
58A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
56mOhm @ 35A, 20V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
4.3V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
106 OR @ 20 V
Vgs (maximum)
+25V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
1762 PF @ 800 V

 

Caractéristiques de NTH4L040N120SC1

  • TJ = 175°C
  • Type. Le RDS (dessus) = 40 m
  • L'avalanche 100% a examiné
  • Charge très réduite de porte (QG (doigt) = 106 OR)
  • Commutation à grande vitesse avec la basse capacité (Coss = 137 PF)
  • Ce dispositif est Pb−Free et est RoHS conforme

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
BQ24192RGER VQFN24
LXT388LE QFP100
ADUM7440CRQZ QSOP-16
SMP8674A00 BGA
SMP8675A00 BGA
SMP8675B00 BGA

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.
   

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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