Détails sur le produit:
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Numéro de la pièce: | NTH4L040N120SC1 | Dissipation de puissance (maximum): | 319W (comité technique) |
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Montage du type: | Par le trou | Vidangez à la tension de source (Vdss): | 1200 V |
Technologie: | SiCFET (carbure de silicium) | Mode de la Manche: | Amélioration |
Transistors TO-247-4L de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal NTH4L040N120SC1
Description de produit de NTH4L040N120SC1
NTH4L040N120SC1 est des transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 319W (comité technique) de 1200V 58A (comité technique), paquet est TO-247-4L.
Spécifications de NTH4L040N120SC1
Numéro de la pièce | NTH4L040N120SC1 |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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58A (comité technique)
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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20V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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56mOhm @ 35A, 20V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4.3V @ 10mA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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106 OR @ 20 V
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Vgs (maximum)
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+25V, -15V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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1762 PF @ 800 V
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Caractéristiques de NTH4L040N120SC1
D'autres composants électroniques en stock
Numéro de la pièce | Paquet |
BQ24192RGER | VQFN24 |
LXT388LE | QFP100 |
ADUM7440CRQZ | QSOP-16 |
SMP8674A00 | BGA |
SMP8675A00 | BGA |
SMP8675B00 | BGA |
FAQ
Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
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Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.
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