Transistors électroniques du N-canal 650 V 45A des circuits intégrés SCTW35N65G2V

Circuits intégrés électroniques SCTW35N65G2V N-Channel 650 V 45A Transistors

Description du produit deSCTW35N65G2V

Le dispositif MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTW35N65G2V a été développé à l'aide de la technologie avancée et innovante SiC MOSFET de 2e génération.

Spécification deSCTW35N65G2V

Caractéristiques de SCTW35N65G2V

• Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste

• Charge de grille et capacité d'entrée extrêmement faibles

• Capacité de température de jonction de fonctionnement très élevée (TJ =200°C)

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FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
A: oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.
Q : Quels certificats possédez-vous ?
R : Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre d'ERAI.
Q : Pouvez-vous prendre en charge une commande ou un échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il gratuit ?
A: oui, nous soutenons la commande d'échantillon et la commande. Le coût de l'échantillon est différent selon votre commande ou votre projet.
Q : Comment expédier ma commande ?Est-ce sûr?
A: nous utilisons express pour expédier, tels que DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré. Les produits seront dans un bon emballage et assureront la sécurité et nous sommes responsables des dommages causés à votre commande.
Q : Qu'en est-il du délai de livraison ?
A: nous pouvons expédier des pièces en stock dans les 5 jours ouvrables. Si sans stock, nous vous confirmerons le délai de livraison en fonction de la quantité de votre commande