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Transistors des véhicules à moteur 650V de la catégorie IGBT de la puce STG200M65F2D8AG de circuit intégré

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
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—— Nishikawa, du Japon

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Transistors des véhicules à moteur 650V de la catégorie IGBT de la puce STG200M65F2D8AG de circuit intégré

Transistors des véhicules à moteur 650V de la catégorie IGBT de la puce STG200M65F2D8AG de circuit intégré
Transistors des véhicules à moteur 650V de la catégorie IGBT de la puce STG200M65F2D8AG de circuit intégré Transistors des véhicules à moteur 650V de la catégorie IGBT de la puce STG200M65F2D8AG de circuit intégré

Image Grand :  Transistors des véhicules à moteur 650V de la catégorie IGBT de la puce STG200M65F2D8AG de circuit intégré

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: STG200M65F2D8AG
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: SMD
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Transistors des véhicules à moteur 650V de la catégorie IGBT de la puce STG200M65F2D8AG de circuit intégré

Définition
Numéro de la pièce: STG200M65F2D8AG La température de jonction maximum: TJ = °C 175
tension de Porte-émetteur: ±20V Courant de collecteur continu à T = °C 100: 200A
Courant de collecteur pulsé: 600A Temps de tenue de court-circuit: 6µs

Transistors des véhicules à moteur 650V de la catégorie IGBT de la puce STG200M65F2D8AG de circuit intégré

 

Description de produit de STG200M65F2D8AG

STG200M65F2D8AG est la Des véhicules à moteur-catégorie 650V, la bas-perte IGBT de série du champ-arrêt M de porte du fossé 200A meurt en emballage D8.

 

Spécifications de STG200M65F2D8AG

Numéro de la pièce : STG200M65F2D8AG Taille : 9.73mm x 10.23mm
Meurent l'épaisseur : 70μm Front Side Passivation : Nitrure de silicium
Front Side Metallization Thickness : 4.5μm Liaison recommandée de fil : ≤ 500μm


Caractéristiques de STG200M65F2D8AG

  • série IGBT de Bas-perte
  • Bas VCE (reposé) = 1,55 V (type.) chez IC = 200 A
  • Coefficient de température positif de VCE (s'est reposé)
  • Distribution serrée de paramètre
  • La température de jonction maximum : TJ = °C 175
  • temps de résistance de court-circuit minimum de 6 µs à TJ = 150°C

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
BCR30AM-12LB TO-247
MT27514A1 BGA
MT25418B0 BGA
BQ51021YFPR DSBGA42
BQ24392RSER UQFN10
KMFE10012M-B214 BGA-221

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.
   

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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