Puce de circuit intégré de l'arrêt de champ de fossé des transistors STGWA20H65DFB2 d'IGBT TO-247-3

Puce de circuit intégré de l'arrêt de champ de fossé des transistors STGWA20H65DFB2 d'IGBT TO-247-3

Description de produit de STGWA20H65DFB2

STGWA20H65DFB2 est le champ-arrêt de porte de fossé, 650 V, 20 A, HB2 la série ultra-rapide IGBT dans a au long paquet d'avances du ‑ 247.

Spécifications de STGWA20H65DFB2

Caractéristiques de STGWA20H65DFB2

• La température de jonction maximum : TJ = °C 175
• Bas VCE (reposé) = 1,65 V (type.) @ IC = 20 A
• Et douce diode Co-emballée par récupération très rapide
• Courant réduit au minimum de queue
• Distribution serrée de paramètre
• Basse résistance thermique
• Coefficient de température positif de VCE (s'est reposé)

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FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.