Puce de circuit intégré de l'arrêt de champ de fossé des transistors RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Puce de circuit intégré de l'arrêt de champ de fossé des transistors RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Description de produit de RGT40TS65DGC13

RGT40TS65DGC13 est des transistors du fossé IGBT d'arrêt de champ de 650V 20A, paquet est TO-247-3, par le trou.

Spécifications de RGT40TS65DGC13

Caractéristiques de RGT40TS65DGC13

• Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
• Basse perte de changement
• Temps 5μs de tenue de court-circuit
• Construit dans la récupération rapide et douce même FRD (RFN - séries)
• Pb - électrodéposition libre d'avance ; RoHS conforme

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FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.