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Transistors TO-220-3 de N-canal de la puce NTP055N65S3H de circuit intégré par le trou

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Transistors TO-220-3 de N-canal de la puce NTP055N65S3H de circuit intégré par le trou

Transistors TO-220-3 de N-canal de la puce NTP055N65S3H de circuit intégré par le trou
Transistors TO-220-3 de N-canal de la puce NTP055N65S3H de circuit intégré par le trou Transistors TO-220-3 de N-canal de la puce NTP055N65S3H de circuit intégré par le trou

Image Grand :  Transistors TO-220-3 de N-canal de la puce NTP055N65S3H de circuit intégré par le trou

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: NTP055N65S3H
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-220-3
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Transistors TO-220-3 de N-canal de la puce NTP055N65S3H de circuit intégré par le trou

Définition
Numéro de la pièce: NTP055N65S3H Temps de retard d'ouverture typique: 30 NS
Série: SuperFET® III Qg - charge de porte: 96 OR
Vds - tension claque de Drain-source: 650 V Temps de retard d'arrêt typique: 90 NS

Transistors TO-220-3 de N-canal de la puce NTP055N65S3H de circuit intégré par le trou

 

Description de produit de NTP055N65S3H

NTP055N65S3H est la famille à haute tension de transistor MOSFET de la superbe-jonction (SJ) qui utilise la technologie d'équilibre de charge pour la basse sur-résistance exceptionnelle et la représentation inférieure de charge de porte.

 

Spécifications de NTP055N65S3H

Numéro de la pièce : NTP055N65S3H
305 W
Amélioration
SuperFET III
SuperFET3
Configuration : Simple
Temps de chute : 2,8 NS
Transconductance en avant - minute : 52 S

 

Caractéristiques de NTP055N65S3H

  • Type. Le RDS (dessus) = 45 m
  • L'avalanche 100% a examiné
  • Charge très réduite de porte (type. Qg = 96 OR)
  • 700 V @ TJ = 150°C
  • Basse capacité de sortie efficace (type. Coss (efficacité) = 880 PF)

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
SP509CF TQFP-100P
ST16C550CQ48 TQFP48
PM5420C FCBGA1517
PEX8311-AA66Because PBGA-337
LFXP2-17E-5FN484C BGA484
SKY87006-11-001 WLCSP-9

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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