Détails sur le produit:
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Numéro de la pièce: | NTHL040N120SC1 | Type de FET: | N-canal |
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Technologie: | SiCFET (carbure de silicium) | Vidangez à la tension de source (Vdss): | 1200 V |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: | 60A (comité technique) | Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
Sic N-canal 1200V 60A 348W du transistor MOSFET NTHL040N120SC1 par le trou TO-247-3
Description de produit de NTHL040N120SC1
Les transistors MOSFET de NTHL040N120SC1 1200V EliteSiC (carbure de silicium) comportent la technologie complètement nouvelle et fournissent la représentation de changement supérieure et la fiabilité élevée comparées au silicium. Ces transistors MOSFET offrent la basse sur-résistance qui assure la basse charge de capacité et de porte. Les transistors MOSFET de 1200V EliteSiC fournissent des indemnités de système et incluent le rendement élevé, fréquence rapide d'opération, densité de puissance accrue, ont réduit l'IEM, et la taille de système réduite.
Spécifications de NTHL040N120SC1
Numéro de la pièce
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NTHL040N120SC1
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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56mOhm @ 35A, 20V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4.3V @ 10mA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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106 OR @ 20 V
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Vgs (maximum)
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+25V, -15V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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1781 PF @ 800 V
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Caractéristiques de NTHL040N120SC1
Applications de NTHL040N120SC1
D'autres types de produit d'approvisionnement
Numéro de la pièce | Paquet |
MAX6922AQH | PLCC-44 |
GCIXF19301EE | BGA |
CN6335-1100BG900I | BGA900 |
STX616 | TO-92AP-3 |
EP20K200EQI240-2X | QFP |
HLMP-Q102 | LED |
FAQ
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: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
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: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
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: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
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Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
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