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Transistors extérieurs du bâti 12-WQFN de la rangée 40V 15A de transistor MOSFET de NTTFD4D0N04HLTWG

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
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—— Nishikawa, du Japon

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Transistors extérieurs du bâti 12-WQFN de la rangée 40V 15A de transistor MOSFET de NTTFD4D0N04HLTWG

Transistors extérieurs du bâti 12-WQFN de la rangée 40V 15A de transistor MOSFET de NTTFD4D0N04HLTWG
Transistors extérieurs du bâti 12-WQFN de la rangée 40V 15A de transistor MOSFET de NTTFD4D0N04HLTWG Transistors extérieurs du bâti 12-WQFN de la rangée 40V 15A de transistor MOSFET de NTTFD4D0N04HLTWG

Image Grand :  Transistors extérieurs du bâti 12-WQFN de la rangée 40V 15A de transistor MOSFET de NTTFD4D0N04HLTWG

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: NTTFD4D0N04HLTWG
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: 12-WQFN
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Transistors extérieurs du bâti 12-WQFN de la rangée 40V 15A de transistor MOSFET de NTTFD4D0N04HLTWG

Définition
Numéro de la pièce: NTTFD4D0N04HLTWG Technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Configuration: N-canal 2 (double) Puissance - maximum: 1.7W (merci), 26W (comité technique)
Montage du type: Bâti extérieur Charge de porte: 18 OR

Transistors extérieurs du bâti 12-WQFN de la rangée 40V 15A de transistor MOSFET de NTTFD4D0N04HLTWG

 

Description de produit de NTTFD4D0N04HLTWG

Le dispositif de NTTFD4D0N04HLTWG inclut deux transistors MOSFET spécialisés de N−Channel dans un double paquet.

 

Spécifications de NTTFD4D0N04HLTWG

Numéro de la pièce

NTTFD4D0N04HLTWG

Identification de Vgs (Th) (maximum) @

2V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds

1100pF @ 20V

Puissance - maximum

1.7W (merci), 26W (comité technique)

Température de fonctionnement

-55°C | 150°C (TJ)

 

Caractéristiques de NTTFD4D0N04HLTWG

  • Le RDS maximum (dessus) = 4,5 m à VGS = 10 V, identification = 10 A

  • Le RDS maximum (dessus) = 7 m à VGS = 4,5, identification = 8,0 A

  • L'emballage de faible induction raccourcit des temps de la hausse/automne, ayant pour résultat des pertes de changement inférieures

 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce

Paquet

IKCM30F60GD

MODULE

EPM570GF256C5N

BGA

NTTFS4928NTAG

WDFN-8

DIR9001IPWRQ1

TSSOP28

AAT1145IDE-0.6

TDFN33-10

TPS65181BRGZR

VQFN-48

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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