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Hauts modules des véhicules à moteur de Denity IGBT inverseur NXH350N100H4Q2F2P1G de 3 phases

Name: Hauts modules des véhicules à moteur de Denity IGBT inverseur NXH350N100H4Q2F2P1G de 3 phases
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXH350N100H4Q2F2P1G
Availability: InStock

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Certificat

Examens de client

A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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Hauts modules des véhicules à moteur de Denity IGBT inverseur NXH350N100H4Q2F2P1G de 3 phases

Image Grand : Hauts modules des véhicules à moteur de Denity IGBT inverseur NXH350N100H4Q2F2P1G de 3 phases

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	NC
Nom de marque:	Original Factory
Certification:	Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle:	NXH350N100H4Q2F2P1G

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	10
Prix:	Contact for Sample
Détails d'emballage:	module
Délai de livraison:	5-8 jours de travail
Conditions de paiement:	T/T, L/C, Western Union

Contact

Hauts modules des véhicules à moteur de Denity IGBT inverseur NXH350N100H4Q2F2P1G de 3 phases

Définition

Numéro de la pièce:	NXH350N100H4Q2F2P1G	Tension de collecteur-émetteur:	1000V
Dissipation de puissance maximum (TJ = 150°C):	592W	Courant de collecteur continu @ comité technique = 80°C:	303A
Courant de collecteur maximal pulsé @ comité technique = 80°C (TJ = 150°C):	909A	Tension de saturation de collecteur-émetteur:	1,63 V, 1,75 V
Mettre en évidence:	Hauts modules des véhicules à moteur de Denity IGBT , modules des véhicules à moteur de 1kV IGBT , NXH350N100H4Q2F2P1G

Hauts modules des véhicules à moteur de Denity IGBT inverseur NXH350N100H4Q2F2P1G de 3 phases

hauts Denity IGBT modules triphasés de silicium de l'inverseur NXH350N100H4Q2F2P1G 1kV

Description de produit de NXH350N100H4Q2F2P1G

NXH350N100H4Q2F2P1G est high−denity, module d'alimentation intégré combine le high−performance IGBTs avec les diodes rocailleuses d'anti−parallel.

Spécifications de NXH350N100H4Q2F2P1G

Numéro de la pièce :	NXH350N100H4Q2F2P1G
Courant de fuite de Porte-émetteur :	2 uA
Palladium - dissipation de puissance :	592 W, 731 W
Température de fonctionnement minimum :	- 40 C + à 150 C
Type de produit :	Modules d'IGBT
Sous-catégorie :	IGBTs

Schéma de principe de NXH350N100H4Q2F2P1G

Hauts modules des véhicules à moteur de Denity IGBT inverseur NXH350N100H4Q2F2P1G de 3 phases 0

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Numéro de la pièce	Paquet
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ICM-20602	QFN16
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RP-0505S	SIP7
K7B803625B-PC65	TQFP-100
SII8348BOCTR	BGA

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Produit Tag:

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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Type IGBT: Fossé

Statut du produit: Actif

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 950 V

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Courant - collecteur (Ic) (maximum): 200 A

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