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Inverseur de Circuit Three Phase de conducteur de module de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT

Name: Inverseur de Circuit Three Phase de conducteur de module de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXH50C120L2C2ES1G
Availability: InStock

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Certificat

Examens de client

A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

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Inverseur de Circuit Three Phase de conducteur de module de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT

Image Grand : Inverseur de Circuit Three Phase de conducteur de module de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	NC
Nom de marque:	Original Factory
Certification:	Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle:	NXH50C120L2C2ES1G

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	10
Prix:	Contact for Sample
Détails d'emballage:	module 26-PowerDIP
Délai de livraison:	5-8 jours de travail
Conditions de paiement:	T/T, L/C, Western Union

Contact

Inverseur de Circuit Three Phase de conducteur de module de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT

Définition

Numéro de la pièce:	NXH50C120L2C2ES1G	Courant de collecteur continu à 25°C:	50 A
Tension de saturation de collecteur-émetteur:	1,8 V	Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:	1.2kV
Configuration:	inverseur triphasé	Produit:	Modules de silicium d'IGBT
Mettre en évidence:	conducteur Circuit de module de 1.2kV IGBT , Conducteur Circuit de module d'IGBT , NXH50C120L2C2ES1G

Inverseur de Circuit Three Phase de conducteur de module de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT

Inverseur triphasé des véhicules à moteur des modules NXH50C120L2C2ES1G d'IGBT avec le frein 26-DIP

Description de produit de NXH50C120L2C2ES1G

NXH50C120L2C2ES1G est un module d'alimentation transfer−molded avec le bas substrat de résistance thermique contenant un circuit de converter−inverter se composant de six 50 A, de 1600 redresseurs de V, de six 50A, de 1200V IGBTs avec les diodes inverses, et d'une thermistance de NTC.

Spécifications de NXH50C120L2C2ES1G

Numéro de la pièce :	NXH50C120L2C2ES1G
Courant de fuite de Porte-émetteur :	Na 400
Température de fonctionnement minimum :	- 40 C
Température de fonctionnement maximum :	+ 150 C
Emballage :	Tube
Type de produit :	Modules d'IGBT

Schéma de principe de NXH50C120L2C2ES1G

Inverseur de Circuit Three Phase de conducteur de module de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT 0

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Numéro de la pièce	Paquet
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NCP4206MNR2G	QFN48
SEMIX653GB176HDS	Module
LTC3776EUF	QFN24
SI4830CDY	SOP-8

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

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Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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Type IGBT: Fossé

Statut du produit: Actif

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