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Puce TO-263-8 de circuit intégré des transistors IMBG65R039M1HXTMA1 de carbure de silicium

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Puce TO-263-8 de circuit intégré des transistors IMBG65R039M1HXTMA1 de carbure de silicium

Puce TO-263-8 de circuit intégré des transistors IMBG65R039M1HXTMA1 de carbure de silicium
Puce TO-263-8 de circuit intégré des transistors IMBG65R039M1HXTMA1 de carbure de silicium Puce TO-263-8 de circuit intégré des transistors IMBG65R039M1HXTMA1 de carbure de silicium

Image Grand :  Puce TO-263-8 de circuit intégré des transistors IMBG65R039M1HXTMA1 de carbure de silicium

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IMBG65R039M1HXTMA1
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-263-8
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Puce TO-263-8 de circuit intégré des transistors IMBG65R039M1HXTMA1 de carbure de silicium

Définition
Numéro de la pièce: IMBG65R039M1HXTMA1 RDS (activé) (@ Tj = 25°C): mΩ 39
VDS max: 650 V Qg - charge de porte: 41 OR
Identification - courant continu de drain: 54 A Technologie: SiCFET (carbure de silicium)

Puce TO-263-8 de circuit intégré des transistors IMBG65R039M1HXTMA1 de carbure de silicium

 

Description de produit d'IMBG65R039M1HXTMA1

IMBG65R039M1HXTMA1 est dispositif de puissance de fossé du N-canal 650V CoolSiC M1 sic, établi au-dessus de la technologie solide de carbure de silicium.

 

Spécifications d'IMBG65R039M1HXTMA1

Numéro de la pièce IMBG65R039M1HXTMA1
JeD (@25°C) maximum 54 A
Minute de température de fonctionnement maximum -55 °C du °C 175
Pdoigtmaximum 211 W
Polarité N
Qualification Industriel


Caractéristiques d'IMBG65R039M1HXTMA1

  • Diode rapide robuste de corps de commutation
  • Coût du système et complexité réduits
  • Une robustesse et une fiabilité du système plus élevées

 

Applications d'IMBG65R039M1HXTMA1

  • Serveur
  • Télécom
  • Alimentation d'énergie de changement (SMPS)

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
PEX8733-CA80Because BGA
SN65LV1224BRHBT QFN-32
CS5480-INZR QFN24
IPG20N06S4L-14 TDSON-8
TL16C554FNR PLCC68
MC14538BDWR2G SOP16

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

 

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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