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puce de circuit intégré du transistor de puissance de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 8-PowerVDFN

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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puce de circuit intégré du transistor de puissance de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 8-PowerVDFN

puce de circuit intégré du transistor de puissance de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 8-PowerVDFN
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Image Grand :  puce de circuit intégré du transistor de puissance de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 8-PowerVDFN

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IAUC60N04S6N031H
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: 8-PowerVDFN
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

puce de circuit intégré du transistor de puissance de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 8-PowerVDFN

Définition
Numéro de la pièce: IAUC60N04S6N031H Montage du style: SMD/SMT
Identification - Courant continu de drain: 113 A Qg - charge de porte: 23 OR
Palladium - dissipation de puissance: 75 W Le RDS sur - la résistance de Drain-source: 3,1 mOhms

puce de circuit intégré du transistor de puissance de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 8-PowerVDFN

 

Description de produit d'IAUC60N04S6N031H

IAUC60N04S6N031H est basé sur la technologie OptiMOS™6 optimisée. Le dossier fournit un grand choix du RDS (DESSUS) du mΩ 3,0 au mΩ 7,0 et à la plus grande estimation actuelle de fiche technique de 60A.

 

Spécifications d'IAUC60N04S6N031H

Numéro de la pièce IAUC60N04S6N031H
JeD (@25°C) maximum 60 A
Minute de température de fonctionnement maximum -55 °C du °C 175
Paquet PG-TDSON-8
QG(type @10V) maximum 23 OR
Qualification Des véhicules à moteur
RDS (dessus)(@10V) maximum mΩ 3,1
Technologie OptiMOS™-6
VDSmaximum 40 V
VGS (Th)minute 2,2 V ; 3 V


Caractéristiques d'IAUC60N04S6N031H

  • OptiMOS™ - transistor MOSFET de puissance pour des applications des véhicules à moteur
  • Moitié-pont - N-canal - mode d'amélioration - niveau normal
  • L'AEC Q101 a qualifié
  • MSL1 jusqu'au ré-écoulement de la crête 260°C
  • température de fonctionnement 175°C
  • Produit vert (RoHS conforme)
  • L'avalanche 100% a examiné

 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce Paquet
MSC025SMA120 Module
MSCSM170AM15CT3AG Module
MSCSM170AM23CT1AG Module
MSCSM170AM45CT1AG Module
MSCSM170AM058CD3AG Module
MSCSM170AM039CT6AG Module

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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