650V FETs simples des transistors MOSFET TO-247-3 de carbure de silicium de N-canal des transistors IMW65R057M1H

650V FETs simples des transistors MOSFET TO-247-3 de carbure de silicium de N-canal des transistors IMW65R057M1H

Description de produit d'IMW65R057M1H

IMW65R057M1H est 650 transistors de transistors MOSFET du N-canal 133W (comité technique) de V 35A (comité technique), par le trou, a optimisé le comportement de changement à des courants plus élevés.

Spécifications d'IMW65R057M1H

Caractéristiques d'IMW65R057M1H

• Vds - tension claque de Drain-source : 650 V
• Identification - courant continu de drain : 35 A
• Le RDS sur - la résistance de Drain-source : 74 mOhms
• Vgs - tension de Porte-source : - 5 V, + 23 V
• Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : 5,7 V

D'autres types de produit d'approvisionnement

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.