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Détails sur le produit:
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| Numéro de la pièce: | IMW65R027M1H | Série: | CoolSIC™ M1 |
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| Type de FET: | N-canal | Vidangez à la tension de source (Vdss): | 650 V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: | 47A (comité technique) | Montage du type: | Par le trou |
Sic puce de circuit intégré des transistors IMW65R027M1H TO-247-3 de transistors MOSFET de puissance de fossé
Description de produit d'IMW65R027M1H
IMW65R027M1H est dispositif de puissance de fossé de 650V CoolSiC M1 sic, transistors simples de transistors MOSFET de FETs de N-canal.
Spécifications d'IMW65R027M1H
| Numéro de la pièce | IMW65R027M1H |
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Technologie
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SiCFET (carbure de silicium)
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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18V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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34mOhm @ 38.3A, 18V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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5.7V @ 11mA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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62 OR @ 18 V
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Vgs (maximum)
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+23V, -5V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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2131 PF @ 400 V
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Dissipation de puissance (maximum)
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189W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Paquet de dispositif de fournisseur
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PG-TO247-3-41
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Applications d'IMW65R027M1H
D'autres types de produit d'approvisionnement
| Numéro de la pièce | Paquet |
| CY9BF324MBGL-GK9E1 | QFP |
| SPC5777MK0MVA8 | FBGA-512 |
| SPC5634MF2MLQ80 | LQFP-144 |
| SPC5645SF1VLT | LQFP208 |
| SPC5602PEF0MLL6 | LQFP100 |
| SPC5748CBK0AMKU6 | HTSSOP14 |
FAQ
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