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Aperçu ProduitsPuce de circuit intégré

Transistors TO-247-4 de N-canal de carbure de silicium de la puce IMZ120R030M1H de circuit intégré

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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Transistors TO-247-4 de N-canal de carbure de silicium de la puce IMZ120R030M1H de circuit intégré

Transistors TO-247-4 de N-canal de carbure de silicium de la puce IMZ120R030M1H de circuit intégré
Transistors TO-247-4 de N-canal de carbure de silicium de la puce IMZ120R030M1H de circuit intégré

Image Grand :  Transistors TO-247-4 de N-canal de carbure de silicium de la puce IMZ120R030M1H de circuit intégré

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IMZ120R030M1H
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-4
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Transistors TO-247-4 de N-canal de carbure de silicium de la puce IMZ120R030M1H de circuit intégré

Définition
Numéro de la pièce: IMZ120R030M1H Série: CoolSiC™
Type de FET: N-canal Vgs (maximum): +23V, -7V
Montage du type: Par le trou Paquet de dispositif de fournisseur: PG-TO247-4-1

Transistors TO-247-4 de N-canal de carbure de silicium de la puce IMZ120R030M1H de circuit intégré

 

Description de produit d'IMZ120R030M1H

IMZ120R030M1H est les transistors simples de transistors MOSFET de FETs du N-canal 1200V, paquet est TO-247-4, par le trou.

 

Spécifications d'IMZ120R030M1H

Numéro de la pièce IMZ120R030M1H
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
40mOhm @ 25A, 18V
Vgs (maximum)
+23V, -7V
Température de fonctionnement
-55°C | 175°C (TJ)

 

Caractéristiques d'IMZ120R030M1H

  • tension de Drain-source, ≥ 25°C de Tvj : 1200V
  • Le drain pulsé 150A actuel, tp a limité par Tvjmax, VGS = 18V
  • temps de tenue du court-circuit 3µs, VDD = 800V, VDS, crête < 1200V="">

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
XA6SLX75-3FGG484Q FCBGA-484
XA6SLX75-2FGG484Q FCBGA-484
XA6SLX75-3CSG484Q 484-CSPBGA
XA6SLX75-2CSG484Q 484-CSPBGA
XA6SLX100-2FGG484I 484-BBGA
XA6SLX100-2FGG484Q FCBGA-484


FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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