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puce simple de circuit intégré des transistors IMBG65R107M1H de transistors MOSFET de FETs de 24A 110W

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

—— Richardg, d'Allemagne

Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

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Image Grand :  puce simple de circuit intégré des transistors IMBG65R107M1H de transistors MOSFET de FETs de 24A 110W

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IMBG65R107M1H
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-263-8
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

puce simple de circuit intégré des transistors IMBG65R107M1H de transistors MOSFET de FETs de 24A 110W

Définition
Numéro de la pièce: IMBG65R107M1H Entraînement de la tension: 0V-18V
Pertes de changement inférieures: 4 fois Charge de porte: 35 OR
Tension de Porte-source: 23 V Palladium: 110 W

puce simple de circuit intégré des transistors IMBG65R107M1H de transistors MOSFET de FETs de 24A 110W

 

Description de produit d'IMBG65R107M1H

IMBG65R107M1H fournit à une diode ultra-rapide intégrée de corps permettant l'utilisation dans des topologies résonnantes la plus basse charge inverse de récupération.

 

Spécifications d'IMBG65R107M1H

Numéro de la pièce :

IMBG65R107M1H

Canaux :

1

Vds :

650 V

Le RDS dessus :

42 MOhms

Identification :

63 A

Th de Vgs :

5,7 V

 

Avantages d'IMBG65R107M1H

  • Combinaison unique de haute performance, de haut relibility et de facilité d'utilisation

  • Facilité d'utilisation et intégration

 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce

Paquet

XC7A75T-2FTG256C

BGA

XC7A75T-1FGG484I

BGA

XC7A75T-2FGG676C

BGA

XC7A75T-1FGG484C

BGA

XC7A75T-1CSG324I

BGA

XC7A75T-1FGG676C

BGA


FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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