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Demande de soumission |
Aperçu ProduitsPuce de circuit intégré

D'IMBG65R039M1H du N-canal 650V de transistors MOSFET de transistors dispositif de puissance de fossé sic

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

—— Richardg, d'Allemagne

Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

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Les prix sont excellents, la livraison est rapide et le service à la clientèle est de premier ordre.

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—— Sam, des États-Unis

Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

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D'IMBG65R039M1H du N-canal 650V de transistors MOSFET de transistors dispositif de puissance de fossé sic

D'IMBG65R039M1H du N-canal 650V de transistors MOSFET de transistors dispositif de puissance de fossé sic
IMBG65R039M1H N-Channel 650V MOSFETs Transistors SiC Trench Power Device
D'IMBG65R039M1H du N-canal 650V de transistors MOSFET de transistors dispositif de puissance de fossé sic D'IMBG65R039M1H du N-canal 650V de transistors MOSFET de transistors dispositif de puissance de fossé sic

Image Grand :  D'IMBG65R039M1H du N-canal 650V de transistors MOSFET de transistors dispositif de puissance de fossé sic

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IMBG65R039M1H
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-263-8
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Contact

D'IMBG65R039M1H du N-canal 650V de transistors MOSFET de transistors dispositif de puissance de fossé sic

Définition
Numéro de la pièce: IMBG65R039M1H Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 54A (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 51mOhm @ 25A, 18V Vgs - tension de Porte-source: - 5 V, + 23 V
Type de produit: Transistor MOSFET Statut de produit: Actif

D'IMBG65R039M1H du N-canal 650V de transistors MOSFET de transistors dispositif de puissance de fossé sic

 

Description de produit d'IMBG65R039M1H

Les transistors de puissance d'amélioration-mode d'IMBG65R039M1H GaN sont disponibles dans un paquet de surface-bâti de ThinPAK 5x6, idéal pour les applications qui exigent un dispositif compact sans radiateur.

 

Spécifications d'IMBG65R039M1H

Numéro de la pièce

IMBG65R039M1H

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs

41 OR @ 18 V

Vgs (maximum)

+23V, -5V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds

1393 PF @ 400 V

 

Caractéristiques d'IMBG65R039M1H

  • Dépendance actuelle inférieure de Rs (dessus) et d'impulsion sur la température

  • Capacité accrue d'avalanche

 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce

Paquet

XC7K160T-1FB484I

BGA

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BGA


FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

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