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Transistor à jonction de carbure de silicium du transistor MOSFET IMYH200R012M1H 2000V de N-canal TO-247-4

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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Transistor à jonction de carbure de silicium du transistor MOSFET IMYH200R012M1H 2000V de N-canal TO-247-4

Transistor à jonction de carbure de silicium du transistor MOSFET IMYH200R012M1H 2000V de N-canal TO-247-4
Transistor à jonction de carbure de silicium du transistor MOSFET IMYH200R012M1H 2000V de N-canal TO-247-4

Image Grand :  Transistor à jonction de carbure de silicium du transistor MOSFET IMYH200R012M1H 2000V de N-canal TO-247-4

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IMYH200R012M1H
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-4
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Transistor à jonction de carbure de silicium du transistor MOSFET IMYH200R012M1H 2000V de N-canal TO-247-4

Définition
Numéro de la pièce: IMYH200R012M1H Série: CoolSiC™
Vgs (maximum): +20V, -7V Dissipation de puissance (maximum): 552W (comité technique)
Température de fonctionnement: -55°C | 175°C (TJ) Montage du type: Par le trou

Transistor à jonction de carbure de silicium du transistor MOSFET IMYH200R012M1H 2000V de N-canal TO-247-4

 

Description de produit d'IMYH200R012M1H

IMYH200R012M1H est transistor à jonction de carbure de silicium de transistors MOSFET de N-canal, par le trou, paquet est TO-247-4.

 

Spécifications d'IMYH200R012M1H

Numéro de la pièce IMYH200R012M1H
Type de FET
N-canal
Technologie
Sic (transistor à jonction de carbure de silicium)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
2000 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
123A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
16.5mOhm @ 60A, 18V

 

Caractéristiques d'IMYH200R012M1H

  • Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : 16.5mOhm @ 60A, 18V
  • Identification de Vgs (Th) (maximum) @ : 5.5V @ 48mA
  • Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : 246 OR @ 18 V

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
BQ24250CYFFR DSBGA30
MA4ST401CK-287 SOT-23
TPS51220ARSNR QFN32
CM3202-00DE QFN
5AGZME1E3H29C4N BGA
PSS30S92E6-AG Module


FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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