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Aperçu ProduitsPuce de circuit intégré

Transistor à jonction de carbure de silicium de la puce TO-247-4 de circuit intégré d'IMYH200R075M1H

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Transistor à jonction de carbure de silicium de la puce TO-247-4 de circuit intégré d'IMYH200R075M1H

Transistor à jonction de carbure de silicium de la puce TO-247-4 de circuit intégré d'IMYH200R075M1H
Transistor à jonction de carbure de silicium de la puce TO-247-4 de circuit intégré d'IMYH200R075M1H Transistor à jonction de carbure de silicium de la puce TO-247-4 de circuit intégré d'IMYH200R075M1H

Image Grand :  Transistor à jonction de carbure de silicium de la puce TO-247-4 de circuit intégré d'IMYH200R075M1H

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IMYH200R075M1H
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-4
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Transistor à jonction de carbure de silicium de la puce TO-247-4 de circuit intégré d'IMYH200R075M1H

Définition
Numéro de la pièce: IMYH200R075M1H Montage du style: Par le trou
Paquet/cas: PG-TO247-4 Nombre de canaux: La 1 Manche
Transconductance en avant - minute: 6,5 S Palladium - dissipation de puissance: 267 W

Transistor à jonction de carbure de silicium de la puce TO-247-4 de circuit intégré d'IMYH200R075M1H

 

Description de produit d'IMYH200R075M1H

IMYH200R075M1H est transistor MOSFET de fossé de CoolSiC™ 2000 V sic, transistor à jonction de carbure de silicium.

 

Spécifications d'IMYH200R075M1H

Numéro de la pièce : IMYH200R075M1H
2 kilovolts
34 A
98 mOhms
- 10 V, + 23 V
3,5 V
64 OR

 

Caractéristiques d'IMYH200R075M1H

  • Diode robuste de corps pour la commutation dure
  • Tension de seuil de porte de référence, VGS (Th) = 4,5 V
  • Technologie d'interconnexion de .XT pour la représentation thermique classe meilleure

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
TDA5102 TSSOP16
TRS207CDWR SOP24
TRS211CDWR SOP28
TRS3318ECDBR SSOP20
FSBB10CH120D SPM27
TMS320C5545AZQW10 BGA118


FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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