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Aperçu ProduitsModules des véhicules à moteur d'IGBT

Pont des véhicules à moteur de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel d'IGBT demi

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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Pont des véhicules à moteur de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel d'IGBT demi

Pont des véhicules à moteur de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel d'IGBT demi
Pont des véhicules à moteur de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel d'IGBT demi Pont des véhicules à moteur de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel d'IGBT demi

Image Grand :  Pont des véhicules à moteur de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel d'IGBT demi

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: FP75R12N2T4BPSA1
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: Module
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Pont des véhicules à moteur de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel d'IGBT demi

Définition
Numéro de la pièce: FP75R12N2T4BPSA1 Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: 39700pF @ 800V Paquet/cas: Module
Technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Température de fonctionnement (maximum): 150°C (TJ)

Pont des véhicules à moteur de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel d'IGBT demi


Description de produit de FF2MR12KM1HOSA1

FF2MR12KM1HOSA1 est module de série C de 62mm avec le transistor MOSFET de fossé de CoolSiC™, rangée du transistor MOSFET 1200V, module de 2 N-canaux (demi pont).


Spécifications de FF2MR12KM1HOSA1

Numéro de la pièce
FF2MR12KM1HOSA1
Série
CoolSiC™
Configuration
N-canal 2 (demi pont)
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
500A (comité technique)

 
Caractéristiques des modules des véhicules à moteur d'IGBT

  • DC/DC Wandler
  • USV-Systeme
  • Densité à forte intensité
  • Basses pertes de changement

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
AS3430-EQFP QFN
EP1C20F324I7N BGA
TPS82698SIPR USIP8
BCM20795P1KML1G QFN
BCM4354XKUBG BGA
BCM47521IUB2G BGA

 

FAQ
Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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