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module des véhicules à moteur de transistors des modules DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT

Name: module des véhicules à moteur de transistors des modules DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: DF11MR12W1M1B11BPSA1
Availability: InStock

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Certificat

Examens de client

A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

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module des véhicules à moteur de transistors des modules DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT

Image Grand : module des véhicules à moteur de transistors des modules DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	NC
Nom de marque:	Original Factory
Certification:	Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle:	DF11MR12W1M1B11BPSA1

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	10
Prix:	Contact for Sample
Détails d'emballage:	Module
Délai de livraison:	5-8 jours de travail
Conditions de paiement:	T/T, L/C, Western Union

Contact

module des véhicules à moteur de transistors des modules DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT

Définition

Numéro de la pièce:	DF11MR12W1M1B11BPSA1	Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:	124nC @ 15V
Puissance - maximum:	20mW	Montage du type:	Montage sur châssis
Température de fonctionnement:	-40°C \| 150°C (TJ)	Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:	3680pF @ 800V

module des véhicules à moteur de transistors des modules DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT

Description de produit de DF11MR12W1M1B11BPSA1

DF11MR12W1M1B11BPSA1 est module de propulseur de 1200 V/11 mΩ avec le transistor MOSFET de CoolSiC™, le NTC et la technologie de contact PressFIT, avec l'estimation actuelle augmentée des diodes de CoolSiC™ Schottky dans l'étape de poussée à tenir compte d'un courant d'entrée plus élevé des panneaux de picovolte.

Spécifications de DF11MR12W1M1B11BPSA1

Numéro de la pièce	DF11MR12W1M1B11BPSA1
Technologie	Carbure de silicium (sic)
Configuration	N-canal 2 (double)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	50A (Tj)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	22.5mOhm @ 50A, 15V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	5.55V @ 20mA

Caractéristiques de DF11MR12W1M1B11BPSA1

Densité à forte intensité
Capteur de température intégré de NTC
Basse conception inductive
Technologie de contact PressFIT
Meilleur dans des pertes de commutation et de conduction de classe

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce	Paquet
BQ294522DRVR	QFN
LMX2531LQ2080E	QFN
AD9523-1BCPZ	QFN
ISP1568AHLUM	TQFP
BD2610GW	BGA
FH8065301685597	BGA

FAQ
Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

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Personne à contacter: Sales Manager

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Télécopieur: 86-0755-83957753

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Vidangez à la tension de source (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 400A

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

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Numéro de pièce: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Type IGBT: Fossé

Statut du produit: Actif

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 950 V

Arrêt de champ de fossé du module 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 950 V

Actuel - collecteur (IC) (maximum): 310 A

Puissance - maximum: 20 mW

Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: 2.25V @ 15V, 400A

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Caractéristique de FET: Carbure de silicium (SiC)

Voltage d'évacuation à la source (Vdss): 1200V (1.2kV)

Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 200A

Type de montage: Montage du châssis

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Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 750 V

Courant - collecteur (Ic) (maximum): 200 A

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