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Détails sur le produit:
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| Numéro de la pièce: | NTBG040N120SC1 | Tension d'entraînement: | 20V |
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| Vgs (maximum): | +25V, -15V | Dissipation de puissance: | 357W (comité technique) |
| Canaux :: | 1 | Temps de chute: | 9 NS |
Transistors simples extérieurs de transistors MOSFET de FETs du N-canal 60A du bâti NTBG040N120SC1
Description de produit de NTBG040N120SC1
Les transistors MOSFET de carbure de silicium NTBG040N120SC1 (sic) fournissent la représentation de changement supérieure et la fiabilité plus élevée que le silicium.
Spécifications de NTBG040N120SC1
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Numéro de la pièce |
NTBG040N120SC1 |
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs |
56mOhm @ 35A, 20V |
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @ |
4.3V @ 10mA |
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs |
106 OR @ 20 V |
Caractéristiques des transistors
Type. Le RDS (dessus) = 40 m
Charge très réduite de porte (type. QG (doigt) = 106 OR)
Basse capacité de sortie efficace (type. Coss = 139 PF)
D'autres composants électroniques en stock
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Numéro de la pièce |
Paquet |
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RJK0332DPB |
LFPAK |
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EN80C188XL20 |
PLCC |
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TL064CN |
IMMERSION |
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ENGSAMPRFMS |
SMD |
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EN29F010-70JC |
PLCC |
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TL084ID |
CONCESSION |
FAQ
Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
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Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
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