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Demande de soumission |
Aperçu ProduitsModules des véhicules à moteur d'IGBT

1200V bâti de châssis des modules 20mW de transistor MOSFET de carbure de silicium des transistors FS03MR12A6MA1B

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

—— Richardg, d'Allemagne

Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

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Le service à la clientèle fourni par est excellent. Ils sont toujours réactifs et serviables, en veillant à ce que nos besoins soient satisfaits rapidement.

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Les prix sont excellents, la livraison est rapide et le service à la clientèle est de premier ordre.

—— Nishikawa, du Japon

Des composants fiables, une expédition rapide et un excellent support.

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Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

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1200V bâti de châssis des modules 20mW de transistor MOSFET de carbure de silicium des transistors FS03MR12A6MA1B

1200V bâti de châssis des modules 20mW de transistor MOSFET de carbure de silicium des transistors FS03MR12A6MA1B
1200V Transistors FS03MR12A6MA1B Silicon Carbide MOSFET Modules 20mW Chassis Mount
1200V bâti de châssis des modules 20mW de transistor MOSFET de carbure de silicium des transistors FS03MR12A6MA1B 1200V bâti de châssis des modules 20mW de transistor MOSFET de carbure de silicium des transistors FS03MR12A6MA1B

Image Grand :  1200V bâti de châssis des modules 20mW de transistor MOSFET de carbure de silicium des transistors FS03MR12A6MA1B

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: FS03MR12A6MA1B
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: Module
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Contact

1200V bâti de châssis des modules 20mW de transistor MOSFET de carbure de silicium des transistors FS03MR12A6MA1B

Définition
Numéro de la pièce: FS03MR12A6MA1B SÉRIE: HybridPACK™
Technologie: Carbure de silicium (sic) Configuration: N-canal 6 (pont triphasé)
Vidangez à la tension de source (Vdss): 1200V (1.2kV) Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 400A (Tj)

1200V bâti de châssis des modules 20mW de transistor MOSFET de carbure de silicium des transistors FS03MR12A6MA1B

 

Description de produit du 0H DU MATIN 1 B de FS03MR

La commande de FS03MR12A6MA1B HybridPACK™ est un module très compact de pack de six (1200V/400A) a optimisé pour l'hybride et les véhicules électriques.

 

Spécifications du 0H DU MATIN 1 B de FS03MR

Numéro de la pièce
FS03MR12A6MA1B
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
5.55V @ 240mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
1320nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
42500pF @ 600V
Puissance - maximum
20mW
Température de fonctionnement
-40°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti de châssis
Paquet/cas
Module

 

Caractéristiques du 0H DU MATIN 1 B de FS03MR

  • Nouveau matériel de semi-conducteur - carbure de silicium
  • Tension de blocage 1200V
  • Bas RDSon
  • Basses pertes de changement
  • Bas Og et Crss
  • Basse conception inductive <10nh>
  • Op= 150°C de vj de T

 

Applications du 0H DU MATIN 1 B de FS03MR

  • Applications des véhicules à moteur
  • Vehides électrique hybride (H) EV
  • Commandes de moteur

 

Schéma de circuit de FS03MR12A6MA1B

1200V bâti de châssis des modules 20mW de transistor MOSFET de carbure de silicium des transistors FS03MR12A6MA1B 0

 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce Paquet
2SA1307-Y TO-220
IRLML0030TR SOT-23
APT150GN120JDQ4 SOT-227
BCP53T1G SOT-223
ATA006A0X-SR Module
SPB20N60S5 TO-263

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Produit Tag:

Modules des véhicules à moteur 400A d'IGBT,

Module d'alimentation de FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Module 1200V de poudre d'IGBT

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

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