Détails sur le produit:
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Numéro de la pièce: | SCT011H75G3AG | Tension de Drain-source: | 750 V |
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Vidangez actuel (continu) à comité technique = le °C 25: | 110A | Dissipation de puissance totale à comité technique = °C 25: | 652 W |
Type inverse de la capacité de transfert (VDS=400V, f=1MHz, VGS=0V): | 33.6pF | Type de la tension en avant de diode (ISD=50A, VGS=0V): | 2.5V |
Transistors 750V H2PAK-7 de transistor MOSFET de puissance de la puce SCT011H75G3AG de circuit intégré de SIC
Description de produit de SCT011H75G3AG
SCT011H75G3AG est dispositif de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium, le type 11,4 de mOhm. La température de jonction de fonctionnement a sonné est -55°C à 175°C, le RDS très bas (dessus) sur la température ambiante entière.
Spécifications de SCT011H75G3AG
Numéro de la pièce : | SCT011H75G3AG | Paquet : | ² PAK-7 DE H |
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Tension de Porte-source : | -10V à 22V | Résistance thermique, Jonction-À-ambiante : | 50 °C/W |
Type du RDS (dessus). : | 11,4 MΩ | Minute de tension claque de Drain-source (VGS = 0 V, identifications = 1 mA) : | 750V |
Le ² PAK-7 de H a recommandé l'empreinte de pas (SCT011H75G3AG)
D'autres composants électroniques en stock
Numéro de la pièce | Paquet |
IRFP4332 | TO-247 |
IRFR15N20 | TO-252 |
IRFR3410 | TO-252 |
IRFR3505 | TO-252 |
IRFS3307 | TO-263 |
IRFS4228 | TO-263 |
FAQ
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