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Transistors 750V H2PAK-7 de transistor MOSFET de puissance de la puce SCT011H75G3AG de circuit intégré de SIC

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
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—— Nishikawa, du Japon

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Transistors 750V H2PAK-7 de transistor MOSFET de puissance de la puce SCT011H75G3AG de circuit intégré de SIC

Transistors 750V H2PAK-7 de transistor MOSFET de puissance de la puce SCT011H75G3AG de circuit intégré de SIC
SIC Integrated Circuit Chip SCT011H75G3AG Power MOSFET Transistors 750V H2PAK-7
Transistors 750V H2PAK-7 de transistor MOSFET de puissance de la puce SCT011H75G3AG de circuit intégré de SIC Transistors 750V H2PAK-7 de transistor MOSFET de puissance de la puce SCT011H75G3AG de circuit intégré de SIC

Image Grand :  Transistors 750V H2PAK-7 de transistor MOSFET de puissance de la puce SCT011H75G3AG de circuit intégré de SIC

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: SCT011H75G3AG
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: H2PAK-7
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Transistors 750V H2PAK-7 de transistor MOSFET de puissance de la puce SCT011H75G3AG de circuit intégré de SIC

Définition
Numéro de la pièce: SCT011H75G3AG Tension de Drain-source: 750 V
Vidangez actuel (continu) à comité technique = le °C 25: 110A Dissipation de puissance totale à comité technique = °C 25: 652 W
Type inverse de la capacité de transfert (VDS=400V, f=1MHz, VGS=0V): 33.6pF Type de la tension en avant de diode (ISD=50A, VGS=0V): 2.5V

Transistors 750V H2PAK-7 de transistor MOSFET de puissance de la puce SCT011H75G3AG de circuit intégré de SIC

 

Description de produit de SCT011H75G3AG

SCT011H75G3AG est dispositif de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium, le type 11,4 de mOhm. La température de jonction de fonctionnement a sonné est -55°C à 175°C, le RDS très bas (dessus) sur la température ambiante entière.

 

Spécifications de SCT011H75G3AG

Numéro de la pièce : SCT011H75G3AG Paquet : ² PAK-7 DE H
Tension de Porte-source : -10V à 22V Résistance thermique, Jonction-À-ambiante : 50 °C/W
Type du RDS (dessus). : 11,4 MΩ Minute de tension claque de Drain-source (VGS = 0 V, identifications = 1 mA) : 750V

 

Le ² PAK-7 de H a recommandé l'empreinte de pas (SCT011H75G3AG)

Transistors 750V H2PAK-7 de transistor MOSFET de puissance de la puce SCT011H75G3AG de circuit intégré de SIC 0

 

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Numéro de la pièce Paquet
IRFP4332 TO-247
IRFR15N20 TO-252
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IRFR3505 TO-252
IRFS3307 TO-263
IRFS4228 TO-263

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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