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Aperçu ProduitsPuce de circuit intégré

transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du ² PAK-7 de la puce SCT070H120G3AG H de circuit intégré de 30A SIC

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du ² PAK-7 de la puce SCT070H120G3AG H de circuit intégré de 30A SIC

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30A SIC Integrated Circuit Chip SCT070H120G3AG H²PAK-7 Silicon Carbide Power MOSFET
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Image Grand :  transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du ² PAK-7 de la puce SCT070H120G3AG H de circuit intégré de 30A SIC

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: SCT070H120G3AG
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: ² PAK-7 DE H
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du ² PAK-7 de la puce SCT070H120G3AG H de circuit intégré de 30A SIC

Définition
Numéro de la pièce: SCT070H120G3AG Tension de Drain-source: 1200V
Tension de Porte-source: -10V à 22V Vidangez actuel (continu) à comité technique = le °C 25: 30A
Vidangez actuel (continu) à comité technique = le °C 100: 20A Dissipation de puissance totale à comité technique = °C 25: 223W

transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du ² PAK-7 de la puce SCT070H120G3AG H de circuit intégré de 30A SIC

 

Description de produit de SCT070H120G3AG

SCT070H120G3AG comporte un RDS très bas (dessus) sur la température ambiante entière combinée avec de basses capacités et opérations de changement très élevées.

 

Spécifications de SCT070H120G3AG

Numéro de la pièce : SCT070H120G3AG Tension de Drain-source : 1200V
Vidangez actuel (pulsé) : 100A Courant zéro de drain de tension de porte (VGS = 0 V, VDS = V) 1200 maximum : 10µA
Courant de fuite de Porte-corps (VDS = 0V, VGS = -10 à 22V) maximum : Na ±100 Courant en avant de diode continue (comité technique = °C) 25 : 30A

 

Applications de SCT070H120G3AG

  • Convertisseur de DC/DC pour EV/HEV

 

Caractéristiques de sortie typiques (TJ = °C) 25 de SCT070H120G3AG

transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du ² PAK-7 de la puce SCT070H120G3AG H de circuit intégré de 30A SIC 0

 

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FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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