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Détails sur le produit:
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| Numéro de pièce: | SCT1000N170AG | Dissipation de puissance totale à comité technique = °C 25: | 96w |
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| Plage de température de stockage: | -55 °C au °C 200 | Jonction-à-cas de résistance thermique: | 1,83 °C/W |
| Résistance thermique jonction-à-ambiante: | 40 °C/W | Emballer: | HiP247 |
| Mettre en évidence: | MOSFET de puissance 1 700 V,MOSFET en carbure de silicium 7A,Puce des véhicules à moteur de circuit intégré |
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Ce MOSFET de puissance en carbure de silicium est produit en exploitant les propriétés avancées et innovantes des matériaux à large bande interdite.
Numéro de pièce :
SCT1000N170AG
Tension drain-source :
1700 V
Tension grille-source :
-10 à 22 V
Courant de drain (continu) à TC = 25 °C :
7A
Courant de drain (continu) à TC = 100 °C :
5A
Courant de drain (pulsé) :
20A
Numéro de pièce
Boîtier
IPDQ65R099CFD7
PG-HDSOP-22
IPDQ65R125CFD7
PG-HDSOP-22
IQE046N08LM5CG
PG-TTFN-9
BSC007N04LS6SC
PG-WSON-8
IPB050N10NF2S
PG-TO263-3
IRF150P220
PG-TO247-3
IRF150P221
PG-TO247-3
IAUS200N08S5N023
PG-HSOG-8
IPA040N06NM5S
PG-TO220
IPA052N08NM5S
PG-TO220
IAUC100N04S6N028
PG-TDSON-8
ISC088N08NM6
PG-TDSON-8
1ED3330MC12M
PG-DSO-16
2EDR3140XQE
PG-DSO-14
2ED2410-EM
PG-TSDSO-24
2EDN7533F
PG-DSO-8
2EDN8534F
PG-DSO-8
6EDL04N065PT
PG-DSO-28
TLE9180D-21QK
PG-LQFP-64
1EDI20I12AF
PG-DSO-8
2EDS7165H
PG-DSO-16
IDWD150G120C5
PG-TO247-2
IDWD75G120C5
PG-TO247-2
IDWD60G120C5
PG-TO247-2
IDWD50G120C5
PG-TO247-2
MRMS166R
QFN
SCH16T-K20
SOIC-24
PE24108A
QFN
PE24110A
QFN
PE25200A
QFN
Personne à contacter: Sales Manager
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Télécopieur: 86-0755-83957753