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Demande de soumission |
Aperçu ProduitsPuce de circuit intégré

L'automobile ébrèche les transistors 268W TO-247-3 d'arrêt de champ de fossé d'AFGHL50T65RQDN IGBT

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

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L'automobile ébrèche les transistors 268W TO-247-3 d'arrêt de champ de fossé d'AFGHL50T65RQDN IGBT

L'automobile ébrèche les transistors 268W TO-247-3 d'arrêt de champ de fossé d'AFGHL50T65RQDN IGBT
L'automobile ébrèche les transistors 268W TO-247-3 d'arrêt de champ de fossé d'AFGHL50T65RQDN IGBT

Image Grand :  L'automobile ébrèche les transistors 268W TO-247-3 d'arrêt de champ de fossé d'AFGHL50T65RQDN IGBT

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: AFGHL50T65RQDN
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-3
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Contact

L'automobile ébrèche les transistors 268W TO-247-3 d'arrêt de champ de fossé d'AFGHL50T65RQDN IGBT

Définition
Numéro de la pièce: AFGHL50T65RQDN Tension passagère de Gate−to−Emitter: ±30V
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 650 V Dissipation de puissance @ comité technique = 25°C (maximum): 268W
Courant de collecteur @ comité technique = 25°C: 80A Type d'entrée: Norme

L'automobile ébrèche les transistors 268W TO-247-3 d'arrêt de champ de fossé d'AFGHL50T65RQDN IGBT

 

Description de produit d'AFGHL50T65RQDN

AFGHL50T65RQDN est seul le support IGBT, 50A, transistors du fossé IGBT d'arrêt de champ 650V. Le pacakge est TO-247-3 (par le trou).

 

Spécifications d'AFGHL50T65RQDN

Numéro de la pièce : AFGHL50T65RQDN Type d'IGBT : Arrêt de champ de fossé
Courant de collecteur pulsé : 200A Charge de porte : 102 OR
Tension de Gate−To−Emitter : ±20V Montage du type : Par le trou

 

Dimensions de paquet d'AFGHL50T65RQDN

L'automobile ébrèche les transistors 268W TO-247-3 d'arrêt de champ de fossé d'AFGHL50T65RQDN IGBT 0
 

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Numéro de la pièce Paquet
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PIC12F1822-I/SN SOP8

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

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