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Aperçu ProduitsPuce de circuit intégré

l'automobile de 268W AFGHL50T65SQD ébrèche l'arrêt de champ simple de fossé des transistors 80A de 650V IGBT

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

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l'automobile de 268W AFGHL50T65SQD ébrèche l'arrêt de champ simple de fossé des transistors 80A de 650V IGBT

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l'automobile de 268W AFGHL50T65SQD ébrèche l'arrêt de champ simple de fossé des transistors 80A de 650V IGBT

Image Grand :  l'automobile de 268W AFGHL50T65SQD ébrèche l'arrêt de champ simple de fossé des transistors 80A de 650V IGBT

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: AFGHL50T65SQD
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-3
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

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Définition
Numéro de la pièce: AFGHL50T65SQD Courant de collecteur pulsé: 200A
Dissipation de puissance @ comité technique = 25°C (maximum): 268W Dissipation de puissance @ comité technique = 100°C (maximum): 134W
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: 2.1V @ 15V, 50A Température ambiante fonctionnante de jonction/température de stockage: -55°C | 175°C (TJ)

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Description de produit d'AFGHL50T65SQD

AFGHL50T65SQD est l'arrêt de champ de fossé de 268W IGBT, 650V, transistors simples de 80A IGBTs, par le trou, paquet est TO-247-3.

 

Spécifications d'AFGHL50T65SQD

Numéro de la pièce : AFGHL50T65SQD Tension de Collector−To−Emitter : 650V
Tension de Gate−To−Emitter : ±20V Tension passagère de Gate−To−Emitter : ±30V
Courant de collecteur @ comité technique = 25°C : 80A Courant de collecteur @ comité technique = 100°C : 50A

 

Dimensions de paquet d'AFGHL50T65SQD

l'automobile de 268W AFGHL50T65SQD ébrèche l'arrêt de champ simple de fossé des transistors 80A de 650V IGBT 0


 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce Paquet
PEF3304ELV2.1 BGA
PEF3394HLV2.2 QFP
PEF42168VV1.2 QFN
PEF7072HLV1.3 QFP
PESD5V0L1UB SOD-523
PESD5V0V1BL SOD882


FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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